发明名称 |
金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种具有金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。先于基底的有源区中形成沟槽,接着形成多个第一绝缘间隙壁于沟槽的侧壁及其外缘,再形成栅介电层于暴露出的基底上。然后,在沟槽上形成栅极,再进行离子注入,以在第一绝缘间隙壁下方与栅极外侧的基底中形成源极/漏极。接着,在基底上形成绝缘层,再以非等向性蚀刻法蚀刻此绝缘层,以在栅极的侧壁上形成多个第二绝缘间隙壁,并暴露出栅极外侧的基底的表面。最后,形成硅化金属层于暴露出的栅极与基底的上表面。 |
申请公布号 |
CN100390947C |
申请公布日期 |
2008.05.28 |
申请号 |
CN200410030050.0 |
申请日期 |
2004.03.18 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
杨国男;詹宜陵;陈豪育;杨富量;胡正明 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王铮 |
主权项 |
1.一种具有高起的源极/漏极的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,该方法至少包含:形成一沟槽于一基底的一有源区中;形成多个第一间隙壁在该沟槽的侧壁及其外缘;形成一栅介电层于暴露出的该基底上;形成一栅极于该沟槽上;进行第一导电型离子注入,以在所述多个第一间隙壁下方与该栅极外侧的该基底中形成源极/漏极;在该栅极的侧壁上形成一第二间隙壁;以及形成一硅化金属层于暴露出的该栅极与该基底的上表面。 |
地址 |
中国台湾 |