发明名称 |
Cr<SUP>5+</SUP>∶RVO<SUB>4</SUB>晶体、制备方法和激光被动调Q器件 |
摘要 |
本发明涉及Cr<SUP>5+</SUP>∶RVO<SUB>4</SUB>晶体、制备方法和该类晶体对一种端面或侧面泵浦激光晶体产生的激光进行被动调Q,属于晶体和器件领域。Cr<SUP>5+</SUP>∶RVO<SUB>4</SUB>(R=Gd,Lu,Y)晶体具有锆英石结构,通式为RV<SUB>1-x</SUB>Cr<SUB>x</SUB>O<SUB>4</SUB>,其中,R=Gd,Lu或Y,x=0.0001~0.1。该晶体用提拉法制备。Cr<SUP>5+</SUP>∶RVO<SUB>4</SUB>晶体作为被动调Q材料,与端面或侧面泵浦的1.01-1.08μm激光相结合,可以产生1.01-1.08μm脉冲激光。用该晶体制作的激光被动调Q器件具有简单、紧凑、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低,便于工业化的大批量制造等优点。 |
申请公布号 |
CN101187064A |
申请公布日期 |
2008.05.28 |
申请号 |
CN200710147092.6 |
申请日期 |
2007.09.05 |
申请人 |
山东大学 |
发明人 |
张怀金;于浩海;王继扬;王正平;于永贵;陶绪堂;刘均海;张行愚;蒋民华 |
分类号 |
C30B29/30(2006.01);C30B15/00(2006.01);H01S3/16(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/30(2006.01) |
代理机构 |
济南金迪知识产权代理有限公司 |
代理人 |
许德山 |
主权项 |
1.Cr<sup>5+</sup>:RVO<sub>4</sub>晶体,具有以下通式: RV<sub>1-x</sub>Cr<sub>x</sub>O<sub>4</sub>,其中,R=Gd,Lu或Y,x=0.0001~0.1,具有锆英石结构,空间群为I4<sub>1</sub>/amd, 当R=Gd时,晶胞参数:a=b=7.212,c=6.346;当R=Lu时,晶胞参数:a=b=7.025,c=6.234 ;当R=Y时,晶胞参数:a=b=7.118,c=6.289,在0.9~1.3μm的范围内有吸收峰,在该 波段范围可以实现被动调Q激光输出。 |
地址 |
250100山东省济南市历城区山大南路27号晶体所 |