电荷俘获存储器件的制造方法

摘要

字线叠层表面和主衬底表面的中间区域被氮氧化物内衬覆盖。要么形成BPSG侧壁隔板，要么沉积另一氮化物内衬并形成氧化物隔板。这些隔板在寻址电路的外围区域中使用以注入掺杂的源极/漏极区域。氮氧化物减小了氮化物和半导体材料之间的应力并防止电荷载流子从氮化物的存储层穿透到内衬。

主权项

1.制作电荷俘获存储器件的方法，包括：提供具有主表面的半导体体区或衬底；施加位于各边界层之间的用于电荷俘获的包括电介质材料的存储层的存储层序列；在存储单元阵列区域中形成字线叠层和在寻址电路的外围区域中形成栅电极；在与所述字线叠层自对准的所述存储单元的所述阵列区域中注入掺杂原子形成源极/漏极区域；施加氮氧化物内衬；在所述外围区域中形成侧壁隔板；使用所述侧壁隔板作为掩模，以在所述外围区域中注入掺杂原子形成源极/漏极区域；用电介质材料填充所述字线叠层之间的间隙和所述栅电极之间的间隙。