| 发明名称 | 半导体装置以及半导体装置的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是：提供一种不使被剥离层受到损伤的剥离方法，其不仅是具有小面积的被剥离层的剥离，还能成品率很高地进行具有大面积的被剥离层的全面剥离。此外，本发明的课题是提供一种在各种基材上粘贴被剥离层并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。特别是，提供一种在柔性薄膜上粘贴以TFT为代表的各种元件(薄膜二极管、由硅的PIN结构成的光电变换元件或硅电阻元件)并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。本发明的解决方法是：在基板上设置金属层(11)，再接在上述金属层(11)上设置氧化物层(12)，进而形成被剥离层(13)，如果以激光照射上述金属层(11)从而进行氧化形成金属氧化层(16)，就能够以物理手段在金属氧化物层(16)的层内或者金属氧化物层(16)和氧化物层(12)的界面上进行很好的分离。 | ||
| 申请公布号 | CN100391004C | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200380102641.8 | 申请日期 | 2003.10.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;高山彻;丸山纯矢;大野由美子 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：与具有绝缘表面的基板上的粘结剂接触的金属氧化物层；与该金属氧化物层接触的氧化物层；以及在该金属氧化物层上方的半导体元件，其中所述氧化物层形成在上述金属氧化物层与上述半导体元件之间。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||