| 发明名称 | 半导体存储装置及参考单元的修正方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体存储装置构成为，具备：存储单元(1)；存储有参考值的参考单元(2)；对参考单元(2)的读出次数进行计数的计数器电路(3)；在上述读出次数达到规定值时，确认参考值是否在预先设定的范围内的确认机构(4)；和在确认为参考值在范围外时，利用主参考单元(6)将该参考值修正为收纳在范围内的修正机构(5)。同时，本发明也提供一种参考单元的修正方法，利用该方法，当参考值在所述范围外时，能够将该参考值修正成收纳在所述范围内。因此，利用本发明，可以提供有效修正参考单元的状态、防止干扰等造成的参考单元的劣化并且高精度地保持参考单元的值的半导体存储装置以及参考单元的修正方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100390902C | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200310119592.0 | 申请日期 | 2003.12.04 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 松冈伸明 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01) | 主分类号 | G11C16/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 徐谦;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：具备电阻根据电应力变化且解除所述电应力后也保持变化后的电阻的非易失性可变电阻元件，在1个单元内存储且可改写N值数据的多个存储单元，其中，上述N为2以上的自然数；在存储了对在所述存储单元中存储的数据值进行读出时所使用的参考值的、具备所述非易失性可变电阻元件而构成的参考单元；具有固定在所述参考单元的所述可变电阻元件的电阻值的可变范围中的上限值的电阻元件的第一主参考单元，和具有固定在所述可变范围中的下限值的电阻元件的第二主参考单元；对所述参考单元的读出次数进行计数的计数器电路；当所述计数器电路所计数的所述读出次数达到规定值时，确认在所述参考单元中存储的所述参考值是否在由所述第一以及第二主参考单元分别固定的所述上限值和所述下限值所规定的预定范围内的确认机构；以及在所述确认机构确认为所述参考值在所述范围外的情况下，以该参考值收纳在所述范围内的方式进行修正的修正机构。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||