电荷捕捉非易失性存储器的电荷平衡抹除操作机制

摘要

一种操作存储单元电荷平衡的方法，包括第一工艺和第二工艺。第一工艺(例如抹除周期)用于建立低启始电压状态，包括第一偏压安置，用于减少电荷捕捉结构中的负电荷，以及第二偏压安置，用于在栅极和电荷捕捉结构之间以及在电荷捕捉结构与通道间引致平衡电荷隧穿。第二工艺(例如编程周期)用于建立高启始电压状态，包括第三偏压安置，用于增加电荷捕捉结构中的负电荷。

主权项

1.一种操作存储单元的方法，包括在一基底中的栅极、源极与漏极，以及在该源极与该漏极之间的通道，还包括在该栅极与该通道间的顶介电层、电荷捕捉结构与底介电层，该操作存储单元方法包括：提供第一工艺，用于在该存储单元中建立低启始电压状态，包括第一偏压安置，用于减少该电荷捕捉结构中的负电荷，以及包括第二偏压安置，用于在该栅极和该电荷捕捉结构间以及在该电荷捕捉结构与该通道间，引致平衡电荷隧穿；以及提供第二工艺，用于在该存储单元中建立高启始电压状态，包括第三偏压安置，用于增加该电荷捕捉结构中的负电荷。