| 发明名称 | 包括写恢复时间控制电路的半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储装置，该半导体存储装置可以包括时钟缓冲器、命令解码器和写恢复时间控制电路。时钟缓冲器可以基于外部时钟信号产生内部时钟信号。命令解码器可以通过对外部命令信号解码来产生写命令信号。写恢复时间控制电路可以基于内部时钟信号、写命令信号和具有多位的写恢复时间控制信号在行波流水线模式下选通多个存储体预充电控制信号，产生多个选通的存储体预充电控制信号。因此，该半导体存储装置可以减少控制写恢复时间所需的触发器的数量。 | ||
| 申请公布号 | CN101188137A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200710169375.0 | 申请日期 | 2007.11.26 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金敬镐 |
| 分类号 | G11C7/22(2006.01);G11C11/4096(2006.01) | 主分类号 | G11C7/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;谭昌驰 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，包括：时钟缓冲器，被构造成基于外部时钟信号产生内部时钟信号；命令解码器，被构造成通过对外部命令信号解码来产生写命令信号；写恢复时间控制电路，被构造成基于内部时钟信号、写命令信号和具有多位的写恢复时间控制信号在行波流水线模式下选通多个存储体预充电控制信号，产生多个选通的存储体预充电控制信号。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||