发明名称 |
一种液相掺杂Ga的ZnO纳米棒及p型ZnO纳米棒阵列的制备方法 |
摘要 |
一种液相掺杂Ga的ZnO纳米棒及p型ZnO纳米棒阵列的制备方法。该方法首先制备ZnO纳米溶胶,并通过提拉成膜和热处理获得高活性的ZnO纳米颗粒种子膜,种子膜再在Ga<SUP>3+</SUP>、Zn<SUP>2+</SUP>的六次甲基四胺溶液结晶方法制备掺杂Ga的ZnO纳米棒阵列,最后经NH<SUB>3</SUB>气气氛中热处理获得p型ZnO纳米棒阵列。该液相掺杂Ga的方法与气相掺杂方法相比,掺杂条件比较温和,工艺简单、成本低。 |
申请公布号 |
CN101186524A |
申请公布日期 |
2008.05.28 |
申请号 |
CN200710151046.3 |
申请日期 |
2007.12.14 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
袁志好;张明艳;吴飞;段月琴;王达健 |
分类号 |
C04B41/50(2006.01);C03C17/23(2006.01);H01L21/368(2006.01);B82B3/00(2006.01) |
主分类号 |
C04B41/50(2006.01) |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
1.一种液相掺杂Ga的ZnO纳米棒及p型ZnO纳米棒阵列的制备方法,其特征在于该方法具体步骤如下:第一、ZnO纳米颗粒种子膜的制备:将氢氧化锂、醋酸锌和无水乙醇按照摩尔比1∶4∶10-50混合,然后通过90~100℃的水浴中制备ZnO纳米溶胶,溶胶通过涂膜方法在导电玻璃或硅等基底上形成ZnO纳米颗粒膜,颗粒膜再经过300~500℃热处理1~2小时,获得高活性的ZnO纳米颗粒种子膜;第二、掺杂Ga的ZnO纳米棒的制备:将上述种子膜浸入到含有Ga3+、Zn2+的六次甲基四胺溶液中,于90~100℃的水浴加热1-3小时共结晶生成掺杂Ga的ZnO纳米棒;其中六次甲基四胺溶液的组成按质量比为C6H12N4∶Zn2+∶Ga3+∶H2O=1∶2.1∶1×10-3~5×10-3∶570;第三、将第二步中所制备的掺杂Ga的ZnO纳米棒在NH3气氛中热处理获得p型ZnO纳米棒阵列;热处理条件为:NH3流量20~100sccm;温度在300~500℃之间;时间1~2小时。 |
地址 |
300191天津市南开区红旗南路263号 |