| 发明名称 | 包括场效应晶体管的半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括堆叠在衬底上的栅绝缘体和栅电极，填充凹槽区域的源/漏图形，该凹槽区域形成在邻近于该栅电极的相对侧面处，该源/漏图形由掺杂杂质的硅－锗构成，且金属硅化锗层布置在该源/漏图形上。该金属硅化锗层电连接到该源/漏图形。在该金属硅化锗层中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例低于在该源/漏图形中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例。 | ||
| 申请公布号 | CN101188250A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200710305140.X | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金明宣;李化成;上野哲嗣;李浩;李智惠 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/38(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：堆叠在衬底上的栅绝缘体和栅电极；填充凹槽区域的源/漏图形，该凹槽区域形成在与该栅电极相邻的相对的侧面处，该源/漏图形由掺杂了杂质的硅-锗构成；和布置在该源/漏图形上的金属硅化锗层，该金属硅化锗层电连接到该源/漏图形，其中在该金属硅化锗层中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例低于在该源/漏图形中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||