| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底(10)的上方形成铁电电容器(42)后，形成直接覆盖铁电电容器(42)的阻挡膜(46)。然后，形成与铁电电容器(42)连接的布线(56a等)。进一步，在布线(42)的上方形成阻挡膜(58)。而且，在形成阻挡膜(46)时形成层叠体，上述层叠体至少具有两种组分不同并且可防止氢或水扩散的防扩散膜(46a以及46b)。 | ||
| 申请公布号 | CN101189721A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200580049945.1 | 申请日期 | 2005.06.02 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 王文生 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有铁电电容器和阻挡膜，该铁电电容器形成于半导体衬底的上方，该阻挡膜覆盖上述铁电电容器，该半导体装置的特征在于，上述阻挡膜为层叠体，其下层是从由氧化铝膜、氮化铝膜以及氮氧化铝膜组成的组中选出的一种膜，其上层是从氧化钛膜、氧化钽膜、氧化锆膜以及氮化钽膜中选出的一种膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||