| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导结构的形成方法，包括提供一基板，形成一低介电常数介电层于该基板上，形成一导线于该低介电常数介电层中，且在一含碳硅烷化学品中，热处理该导线以形成一阻挡层于该导线上。形成一衬阻挡层于开口中以形成此导线。此衬阻挡层含有与阻挡层相同的材料，在形成阻挡层前，可去除此衬阻挡层，且衬阻挡层可含有一可被硅化的金属。本发明的半导体结构的形成方法通过形成凹槽可去除介于阻挡层交界处的脆弱点，并且阻挡层可对铜导线形成良好的密封。 | ||
| 申请公布号 | CN101188210A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200710103965.3 | 申请日期 | 2007.05.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;陈海清;包天一 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构的形成方法，包括提供一基板；在该基板上形成一低介电常数介电层；在该低介电常数介电层中形成一导线，以及在一含碳硅烷化学品中热处理该导线以在该导线上形成一阻挡层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||