材料沉积方法及设备

摘要

本发明提供了选择性地加热被曝光于无电解电镀溶液的晶片表面的方法和设备。辐射能量源的选择性加热导致该晶片表面和无电解电镀溶液之间界面处的温度增大。该温度增大导致在晶片表面处发生电镀反应。因此，通过无电解电镀反应在该晶片表面上沉积材料，其中使用恰当定义的辐射能量源改变该晶片表面的温度而触发和控制该无电解电镀反应。另外，将平面部件置于该晶片表面上并靠近该晶片表面，从而在该平面部件和晶片表面之间引入无电解电镀溶液。通过该电镀反应沉积的材料形成了遵从该平面部件平整度的平坦化层。

主权项

1.在晶片表面上沉积材料的方法，包括：将无电解电镀溶液涂敷到晶片表面上，该无电解电镀溶液保持在不容易发生电镀反应的温度；以及将该晶片表面曝光于辐射能量，该辐射能量能够将该晶片表面的温度增大到在该晶片表面和该无电解电镀溶液之间界面处发生电镀反应的状态。