| 发明名称 | 利用改进的NPN双极晶体管基极接入电阻的方法和器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种结构，此结构包括依然共用共同的DTI区和单个大片基极多晶硅的多个短发射极。这种结构允许基极电流向4个方向(即2维)而不是仅2个方向上流动。因而大大减小了晶体管基极电阻，这对于使NPN晶体管获得更好的RF特性和高频噪声特性是至关重要的。 | ||
| 申请公布号 | CN101189728A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200680019342.1 | 申请日期 | 2006.06.01 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 谭博成;彼得·戴克勒;西塞罗·西尔韦拉·沃谢 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01);H01L29/08(2006.01) | 主分类号 | H01L29/737(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种垂直晶体管，包括：至少2个发射极条(301)，每个包括：一个基极区，一个发射极区，和一个集电极区，其中所述的至少2个发射极条(301)共用一个共同DTI区(311)和一个单基极多晶硅(304)。 | ||
| 地址 | 荷兰爱因霍芬 | ||