发明名称 |
能滤除EMI噪声的电容传声器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种能滤除EMI噪声的电容传声器,包括由起声电转换作用且由振动膜片支撑环、振动膜片、绝缘垫圈和背极板组成的平行板电容器M、由贴装在印刷电路板PCB上的场效应晶体管FET和滤波电容器C1、C2构成的电信号处理组件,平行板电容器M两端分别连接FET的栅极G和源极S,滤波电容器C2并联在FET的源极S与漏极D之间,FET的漏极D与一接线端连接,FET的源极S与另一接线端连接,滤波电容器C1并联在FET的栅极G与源极S之间。该电容传声器能很好的滤除串入FET栅极G和漏极D的EMI信号,进而完全消除干扰噪声、且电路结构简单,滤波元件少,成本低。 |
申请公布号 |
CN201066929Y |
申请公布日期 |
2008.05.28 |
申请号 |
CN200720110644.1 |
申请日期 |
2007.06.14 |
申请人 |
宁波鑫丰泰电器有限公司 |
发明人 |
陈恕华;徐峰;王廷华 |
分类号 |
H04R19/01(2006.01);H04R19/04(2006.01) |
主分类号 |
H04R19/01(2006.01) |
代理机构 |
宁波市鄞州甬致专利代理事务所 |
代理人 |
代忠炯 |
主权项 |
1.一种能滤除EMI噪声的电容传声器,包括由起声电转换作用且由振动膜片支撑环(2)、振动膜片(3)、绝缘垫圈(4)和背极板(5)组成的平行板电容器M、由贴装在印刷电路板PCB(8)上的场效应晶体管FET(50)和滤波电容器C1(61)、C2(60)构成的电信号处理组件,所述平行板电容器M两端分别连接场效应晶体管FET(50)的栅极G和源极S,所述滤波电容器C2(60)并联在场效应晶体管FET(50)的源极S与漏极D之间,所述场效应晶体管FET(50)的漏极D与一接线端连接,所述场效应晶体管FET(50)的源极S与另一接线端连接,其特征在于:所述滤波电容器C1(61)并联在场效应晶体管FET(50)的栅极G与源极S之间。 |
地址 |
315131浙江省宁波市鄞州区横溪镇工业区 |