发明名称 二硼化锆基梯度材料及其原位反应的制备方法
摘要 本发明涉及一种二硼化锆基梯度材料和原位反应的制备方法。所述的ZrB<SUB>2</SUB>基梯度材料一端为ZrB<SUB>2</SUB>/SiC复合材料;另一端为(Zr,Hf)B<SUB>2</SUB>/SiC或者HfB<SUB>2</SUB>/SiC复合材料它是以低成本的普通微米级商用粉体为原料,混合均匀后采用放电等离子烧结方法进行快速烧结,烧结温度为1400~1550℃;升温速率范围为80~200℃/min;烧结压力范围为10~100MPa;保温时间范围为3~10min。利用原料反应放热及反应合成得到的新生成相的高活性,无需添加烧结助剂,即可制备出致密且具有良好的高温性能的ZrB<SUB>2</SUB>基梯度材料。所制备的材料具有更高的热导率、更高的力学性能与更优的抗氧化性能。制备周期短、能耗低、环境友好,具有良好的产业化前景。
申请公布号 CN101186505A 申请公布日期 2008.05.28
申请号 CN200710171917.8 申请日期 2007.12.07
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 赵媛;江莞;王连军;陈立东
分类号 C04B35/58(2006.01);C04B35/622(2006.01) 主分类号 C04B35/58(2006.01)
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 潘振甦
主权项 1.一种二硼化锆基梯度材料,其特征在于所述的二硼化锆基梯度材料一端是ZrB2-SiC,另一端为(Zr,Hf)B2-SiC或HfB2-SiC,中间至少一层,满足化学式:2(100-x)Zr+2xHf+B4C+Si→2(100-x)ZrB2+2xHfB2+SiC,0≤x≤100。
地址 200050上海市长宁区定西路1295号