光信息记录介质用母盘的制造方法、该母盘的圆盘

摘要

一种光信息记录介质用母盘的制造方法，包括：通过曝光使具有蚀刻层(102)以及形成在蚀刻层(102)上的光致抗蚀剂层(103)的原盘的光致抗蚀剂层(103)的特定部分(104)的结晶状态发生变化的工序；去除特定部分(104)的工序；去除与在光致抗蚀剂层(103)的去除部分重叠的部分蚀刻层(102)的工序；去除光致抗蚀剂层(103)，形成导电膜(105)的工序；以导电膜(105)作为电极进行电铸的工序；从导电膜(105)剥离蚀刻层(102)的工序。

主权项

1.一种光信息记录介质用母盘的制造方法，包括：通过蚀刻使至少具有蚀刻层以及光致抗蚀剂层的原盘部件的上述光致抗蚀剂层的特定部分的结晶状态发生变化的工序，其中所述蚀刻层形成于蚀刻阻止层上，所述光致抗蚀剂层形成于上述蚀刻层上并且能够蚀刻；通过由碱性或酸性显影液进行的蚀刻，有选择地去除结晶状态变化后的上述光致抗蚀剂层的上述特定部分或上述特定部分以外的部分的工序；通过使用气体的等离子蚀刻，有选择地去除，通过去除上述光致抗蚀剂层而产生的、向外部露出的上述蚀刻层的一部分的工序；去除上述光致抗蚀剂层的残留部分，在上述蚀刻阻止层及上述蚀刻层的表面侧形成导电膜的工序；以上述导电膜作为电极进行电铸的工序；以及从上述导电膜剥离上述蚀刻层和上述蚀刻阻止层的工序，其中，上述蚀刻层，以具有耐酸性的材料作为主成分，上述光致抗蚀剂层，以材料或组成与具有耐酸性的材料不同的无机氧化物作为主成分，上述蚀刻层的厚度在40nm以上100nm以下，上述蚀刻层的蚀刻率相对于上述光致抗蚀剂层的蚀刻率的选择比在1.0以上。