Method for manufacturing an insulated-gate semiconductor element,申请号EP20000103360-传众专利搜索

发明名称	Method for manufacturing an insulated-gate semiconductor element
摘要
申请公布号	EP1032048(B1)	申请公布日期	2008.05.28
申请号	EP20000103360	申请日期	2000.02.22
申请人	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD	发明人	KITABATAKE, MAKOTO;UCHIDA, MASAO;TAKAHASHI, KUNIMASA;UENOYAMA, TAKESHI
分类号	H01L29/78;H01L21/04;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/423	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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