发明名称 一种无机全固态电致变色元件及其制备方法
摘要 本发明提供一种无机全固态电致变色元件及其制备方法,该元件的结构为:在掺锡氧化铟玻璃基片上依次沉积的氧化钨薄膜、偏硼酸锂和硫酸锂混合物薄膜、镍氧化物薄膜、掺锡氧化铟薄膜;其制备方法的步骤如下:将掺锡氧化铟导电玻璃切割出适合仪器设备大小的基片,并依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗;将装有基片的多靶磁控溅射装置的溅射成膜腔抽真空到1×10<SUP>-4</SUP>Pa;然后依次沉积氧化钨薄膜、偏硼酸锂和硫酸锂混合薄膜、镍氧化物薄膜、掺锡氧化铟薄膜。依本发明方法制备的电致变色元件具有改变可见光透射率的性能,并且具有调制范围大,反应时间短等特点,在变色玻璃,防眩反光镜,信息显示屏幕、促进节能窗的研究和应用等方面具有很大的价值。
申请公布号 CN101188886A 申请公布日期 2008.05.28
申请号 CN200710179549.1 申请日期 2007.12.14
申请人 北京航空航天大学 发明人 王聪;杨海刚;刁训刚;王怀义;朱开贵;王天民
分类号 H05B33/12(2006.01);H05B33/14(2006.01);H05B33/26(2006.01);H05B33/20(2006.01);H05B33/10(2006.01) 主分类号 H05B33/12(2006.01)
代理机构 北京慧泉知识产权代理有限公司 代理人 王顺荣;唐爱华
主权项 1.一种无机全固态电致变色元件,其特征在于:其结构为:基片;在该基片上沉积的阴极变色层;在该阴极变色层上沉积的离子导电层;在该离子导电层上沉积的阳极变色层;在该阳极变色层上沉积的透明电极;其中,所述的基片为掺锡氧化铟玻璃基片,所述的阴极变色层为氧化钨薄膜;所述的离子导电层为偏硼酸锂和硫酸锂混合物薄膜;所述的阳极变色层为镍氧化物薄膜;所述的透明电极为掺锡氧化铟薄膜。
地址 100083北京市海淀区学院路37号北京航空航天大学理学院材料物理和凝聚态物理中心