| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：位线(14)，埋设于半导体基板(10)中；第一互连线(24)，设置于位线上方并且连接该位线；以及第二互连线(30)，设置于第一互连线上方并且连接该第一互连线及周边电路区域的晶体管，并且，第一互连线(24)系仅通过第二互连线连接周边电路区域的晶体管。本发明的半导体器件及其制造方法复包括：辅助接触孔(44)，位于位线与连接周边电路区域的晶体管的第一互连线间。依据本发明，能抑制从ONO膜(12)流失电荷，而能提供可靠度高的快闪存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN101189716A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200580049950.2 | 申请日期 | 2005.05.30 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 | 发明人 | 井上阳子 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/792(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：位线，埋设于半导体衬底；第一互连线，设置于所述位线上方并且与所述位线连接；以及第二互连线，设置于所述第一互连线上方并且连接所述第一互连线及周边电路区域的晶体管，其中所述第一互连线仅通过所述第二互连线连接至所述晶体管。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||