| 发明名称 | 沟渠式电容器结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的沟渠式电容器结构的制备方法首先形成至少一沟渠于一衬底中，再形成一埋入式下电极于该沟渠的下部外缘。其次，形成一覆盖该沟渠内侧壁的介电层，并进行多次沉积工艺以形成多层多晶硅层于该沟渠内，其中该多次沉积工艺之间通入一含导电掺杂剂的气体至该沟渠，使得该导电掺杂剂得以扩散进入该多晶硅层。之后，利用平坦化工艺及非等向性干蚀刻工艺局部去除该沟渠上部的多晶硅层而构成一上电极于沟渠的下部，并形成一环状绝缘层于该沟渠上部内壁，再利用该环状绝缘层为掺杂掩模进行一掺杂工艺以将导电掺杂剂注入该上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101188213A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200610149403.8 | 申请日期 | 2006.11.17 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 赖素贞;廖宏魁 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种沟渠式电容器结构的制备方法，包含下列步骤：形成至少一沟渠于一衬底中；形成一埋入式下电极于该沟渠的下部外缘；形成一覆盖该沟渠内侧壁的介电层；形成一上电极于沟渠的下部；形成一环状绝缘层于该沟渠上部内壁；以及进行一掺杂工艺以将导电掺杂剂注入该上电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园 | ||