发明名称 蓝紫光或蓝光激发的荧光体及制造方法与封装的白光二极管
摘要 本发明属于光电显示材料和器件技术领域,涉及一种用蓝紫光或蓝光激发的荧光体制造法及用这种荧光体和芯片封装的白光二极管。荧光体的成分为Sr<SUB>3-a-b</SUB>Ba<SUB>a</SUB>Si<SUB>1-c</SUB>O<SUB>5</SUB>∶bD,cE,dF,eG式中D是二价Eu,E是三价Ce,F是元素B,G是一价Li,a、b、c、d和e为原子摩尔数,数值范围为0.0≤a≤0.2,0.0≤b≤0.2,0.0≤c≤0.2,0.0≤d≤0.2,0.0≤e≤0.2,原子比c∶e=1∶0.01-0.1。按照荧光体的成分配制一种复合硅溶胶,复合硅溶胶进行喷雾造粒,得到干凝胶颗粒,进行微波高温烧成,得到荧光体颗粒。采用上述荧光体的成分和制造方法,容易调整荧光体颗粒的大小、形貌和光谱以及亮度和发光效率,实现量产化生产。用这种荧光体颗粒与蓝紫光或蓝光GaN基芯片一起封装,得到白光二极管。
申请公布号 CN101186818A 申请公布日期 2008.05.28
申请号 CN200710151099.5 申请日期 2007.12.17
申请人 天津理工大学 发明人 王达健;张培新;袁志好;彭金辉;李岚;毛智勇;顾铁成;姜亚昌;陆启飞;于文惠;印寿根;张红梅
分类号 C09K11/79(2006.01);H01L33/00(2006.01) 主分类号 C09K11/79(2006.01)
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 代理人 廖晓荣
主权项 1.一种蓝紫光或蓝光激发的荧光体,其特征在于所述荧光体的成分为Sr3-a-bBaaSi1-cO5:bD,cE,dF,eG,式中D是二价Eu,E是三价Ce,F是元素B,G是一价Li,a、b、c、d和e为原子摩尔数,数值范围为0.0≤a≤0.2,0.0≤b≤0.2,0.0≤c≤0.2,0.0≤d≤0.2,0.0≤e≤0.2,原子比c∶e=1∶0.01-0.1。
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