有机薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法，适用于显示器，传感器，无线射频识别RFID标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括在基底(101)上依次制作的栅极(102)、栅绝缘层(103)、自组装单分子层(104)、有机半导体层(105)、源极(106)、漏极(107)。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。用这种方法，有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印，完成柔性衬底大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作，降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本，同时在栅绝缘层上采用OTS溶液形成自组装单分子层保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率，低的漏电流及电路工作电压。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管的制造方法，该方法是在基底上，依次制作栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极、漏极；其特征是：1)制作栅绝缘层在栅极上镀250纳米厚的二氧化硅作为栅绝缘层；2)制作自组装单分子层将1)制作的样品转移到2wt％的烷基氯硅烷溶液里，浸泡4小时，让栅绝缘层上形成烷基氯硅烷自组装单分子层；3)在自组装单分子层上制作有机半导体层制作有机半导体层的镀膜工序，采用6，13-取代基的并五苯衍生物TIPS-pertacene[(bia(triisopropylsilylethynyl)pentacene)]其结构式：配制成0.5wt％的甲苯溶液，在90℃时，以2500rpm进行旋涂60秒，并五苯衍生物转变为并五苯薄膜，得到有机半导体层。