| 发明名称 | SOQ基板以及SOQ基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供SOQ基板及其制造方法，该制造方法包括：进行离子注入工艺，在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，对石英基板和上述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，将上述石英基板的主面与上述硅基板的主面贴合；进行剥离工艺，在不加热情况下从上述贴合基板的上述硅基板机械性地剥离硅薄膜，在上述石英基板的主面上形成硅膜；以及以1000℃以下的温度，对上述硅膜进行氢热处理的工艺。本发明能够抑制SOQ膜的表面粗糙化并提供高品质的SOQ基板。 | ||
| 申请公布号 | CN101188190A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200710186484.3 | 申请日期 | 2007.11.22 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种SOQ基板的制造方法，其特征为包括以下步骤：进行离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，此工艺是对石英基板和所述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，此工艺是将所述石英基板的主面与所述硅基板的主面贴合；进行剥离工艺，此工艺是在没有加热的情况下，从所贴合基板的所述硅基板机械性地剥离硅薄膜，而在所述石英基板的主面上形成硅膜；以及以1000℃以下的温度，对所述硅膜进行氢热处理的工艺。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||