发明名称 半导体元件及其制程
摘要 一种半导体元件,其包括一电路结构以及一保护层。电路结构具有多个接点。保护层位于电路结构上,并且具有多个开口以及多个凸起物,其中这些开口暴露出这些接点,并且这些凸起物位于这些接点上。
申请公布号 TWI297205 申请公布日期 2008.05.21
申请号 TW095106753 申请日期 2006.03.01
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA) LTD. 百慕达 发明人 王俊恒
分类号 H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种半导体元件,包括: 一电路结构,具有多个接点;以及 一保护层,位于该电路结构上,该保护层具有多个 开口以及多个凸起物,其中该些开口暴露出该些接 点,并且该些凸起物位于该些接点上。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,更包括 多个球底金属垫以及多个凸块,其中该些球底金属 垫配置于该些接点与该些凸起物上,并且该些凸块 配置于该些球底金属垫上。 3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件,其中该 些凸块的材料为金。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中每 一该些接点上配置有一个该凸起物。 5.如申请专利范围第4项所述之半导体元件,其中该 些凸起物之外形为环状、条状或是块状。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中每 一该些接点上配置有多个该些凸起物。 7.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,其中该 些凸起物之外形为环状、条状、块状或是前述的 组合。 8.一种半导体元件的制造方法,其步骤包括: 提供一电路结构,其中该电路结构具有多个接点; 将一层保护材料覆盖于该电路结构上;以及 对该层保护材料进行图案化,以形成一保护层,其 中该保护层具有多个开口以及多个凸起物,该些开 口暴露出该些接点,并且该些凸起物位于该些接点 上。 9.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造 方法,更包括: 于该些接点与该些凸起物上形成一层球底金属材 料; 于该球底金属材料上形成多个凸块,其中该些凸块 的位置对应于该些接点; 移除该球底金属材料之不为该些凸块所覆盖的部 份。 图式简单说明: 图1A至图1C绘示为习知之于晶片的接点上形成凸块 的制程示意图。 图2绘示为图1C之晶片结构电性连接至一基板的示 意图。 图3A至图3C绘示为本发明一实施例之半导体元件的 制程示意图。 图4绘示为图3C之半导体元件电性连接至一基板的 示意图。
地址 台南县善化镇科学园区南科七路5号