| 主权项 |
1.一种有机电激发光显示器,包含: 一薄膜电晶体,位在一基板之上,该薄膜电晶体包 括一闸极、一源极以及一汲极; 一绝缘层,位在该薄膜电晶体与该基板之上,该绝 缘层在一画素区域内之高度低于该画素区域外之 高度以形成一侧壁; 一半穿反电极层,位在该绝缘层之上表面上并暴露 出该侧壁,该半穿反电极层与该薄膜电晶体之该源 极/或该汲极电性连接;以及 一有机发光二极体,位在该半穿反电极层上之该画 素区域上。 2.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光显示 器,其中该侧壁与该画素区域内之该绝缘层的上表 面之夹角不大于90度。 3.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光显示 器,其中该侧壁之高度大于该半穿反电极层。 4.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光显示 器,其中该绝缘层系为无机层或有机层。 5.一种有机电激发光显示器,包含: 一薄膜电晶体,位在一基板之上,该薄膜电晶体包 括一闸极、一源极以及一汲极; 一第一绝缘层,位在该薄膜电晶体与该基板之上, 该第一绝缘层具有一开口以暴露出部分之一金属 导线; 一透明导电层,位在该第一绝缘层之上,并透过该 金属导线与该汲极电性连接; 一第二绝缘层,位在该薄膜电晶体与该基板之上, 该第二绝缘层在一画素区域内之高度低于该画素 区域外之高度以形成一侧壁; 一半穿反电极层,位在该第二绝缘层之上表面上并 暴露出该侧壁,该半穿反电极层与该透明导电层电 性连接; 一有机发光层,位在该半穿反电极层上之该画素区 域上;以及 一电极层,位于该有机发光层之上。 6.如申请专利范围第5项所述之有机电激发光显示 器,其中该侧壁与该画素区域内之第二绝缘层的上 表面之夹角不大于90度。 7.如申请专利范围第5项所述之有机电激发光显示 器,其中该侧壁之高度大于该半穿反电极层。 8.如申请专利范围第5项所述之有机电激发光显示 器,其中该第二绝缘层系为无机层或有机层。 9.一种有机电激发光显示器之制造方法,包含以下 步骤: 形成一薄膜电晶体在一基板之上,该薄膜电晶体包 括一闸极、一源极以及一汲极; 形成一绝缘层在该薄膜电晶体与该基板之上,该绝 缘层在一画素区域内之高度低于该画素区域外之 高度以形成一侧壁; 形成一半穿反电极层在该绝缘层之上表面上并暴 露出该侧壁,该半穿反电极层与该薄膜电晶体之该 源极/或该汲极电性连接;以及 形成一有机发光二极体在该半穿反电极层上之该 画素区域上。 10.如申请专利范围第9项所述之有机电激发光显示 器之制造方法,其中该侧壁与该画素区域内之该绝 缘层的上表面之夹角不大于90度。 11.如申请专利范围第9项所述之有机电激发光显示 器之制造方法,其中该侧壁之高度大于该半穿反电 极层。 12.如申请专利范围第9项所述之有机电激发光显示 器之制造方法,其中该绝缘层系为无机层或有机层 。 13.一种有机电激发光显示器之制造方法,包含以下 步骤: 形成一薄膜电晶体在一基板之上,该薄膜电晶体包 括一闸极、一源极以及一汲极; 形成一第一绝缘层在该薄膜电晶体与该基板之上, 该第一绝缘层具有一开口以暴露出部分之一金属 导线; 形成一透明导电层在该第一绝缘层之上,并透过该 金属导线与该汲极电性连接; 形成一第二绝缘层在该薄膜电晶体与该基板之上, 该第二绝缘层在一画素区域内之高度低于该画素 区域外之高度以形成一侧壁; 形成一半穿反电极层在该第二绝缘层之上表面上 并暴露出该侧壁,该半穿反电极层与该透明导电层 电性连接; 形成一有机发光层在该半穿反电极层上之该画素 区域上;以及 形成一电极层在该有机发光层之上。 14.如申请专利范围第13项所述之有机电激发光显 示器之制造方法,其中该侧壁与该画素区域内之第 二绝缘层的上表面之夹角不大于90度。 15.如申请专利范围第13项所述之有机电激发光显 示器之制造方法,其中该侧壁之高度大于该半穿反 电极层。 16.如申请专利范围第13项所述之有机电激发光显 示器之制造方法,其中该第二绝缘层系为无机层或 有机层。 图式简单说明: 第1A图至第1E图系绘示本发明之一较佳实施例的有 机电激发光显示器之制造流程剖面示意图。 |
