| 主权项 |
1.一种去除组合物,包括: 0.001至15重量%之一防腐蚀物质,为成分(b); 0至15重量%之至少一有机或无机弱酸,为成分(c); 2至70重量%之水,为成分(d); 1至40重量%之至少一胺,为成分(e);以及 作为余量之30重量%或以上之至少一在分子中具有 醚键之醇,为成分(a),其中该在分子中具有醚键之 醇系择自乙二醇醚及由下列化学式表示之具有环 醚结构的醇所组成之组群: X-(A-OH)n (其中X为环醚结构,A为具有1到8个碳原子之碳氢链, 以及n为1或更多的整数及表示环醚结构取代基的 数目)。 2.如申请专利范围第1项所述之去除组合物,其中该 分子中具有环醚结构的醇为糠醇或四氢糠醇。 3.如申请专利范围第1项所述之去除组合物,其中该 成分(a)为分子中具有环醚结构的醇和分子中具有 乙二醇醚结构的醇的混合物。 4.如申请专利范围第1项所述之去除组合物,其中该 成分(c)为乳酸。 5.如申请专利范围第1项所述之去除组合物,其中该 成分(b)为一防腐蚀物质由(1)嘌呤衍生物;(2)任一该 化合物具有至少一羧基、拥有能与金属形成螯合 物能力、及具有一疏水基;(3)该嘌呤衍生物与 -2-羧酸的混合物,或(4)-2-羧酸与该化合物(2)的 混合物;(5)化合物(1)的该嘌呤衍生物与该化合物(2) 的混合物;以及(6)化合物(1)的该嘌呤衍生物、该化 合物(2)与-2-羧酸的混合物,所组成的族群中选 出。 6.如申请专利范围第5项所述之去除组合物,其中该 化合物(2)为邻苯二甲酸。 7.如申请专利范围第5项所述之去除组合物,其中化 合物(1)的该嘌呤衍生物为腺嘌呤或其衍生物。 8.如申请专利范围第1项所述之去除组合物,其中该 胺为烷醇胺。 9.一种去除组合物,包括: 0.01到15重量%之氢氟酸和其盐之至少一者,为成分(c '); 5到30重量%之水,为成分(d); 10至40重量%之至少一胺,为成分(e);以及 作为余量之大于或等于20重量%之至少一在分子中 具有醚键之醇,为成分(a),其中该在分子中具有醚 键之醇系择自乙二醇醚及由下列化学式表示之具 有环醚结构的醇所组成之组群: X-(A-OH)n (其中X为环醚结构,A为具有1到8个碳原子之碳氢链, 以及n为1或更多的整数及表示环醚结构取代基的 数目)。 10.如申请专利范围第9项所述之去除组合物,其中 该分子中具有环醚结构的醇为糠醇或四氢糠醇。 11.如申请专利范围第9项所述之去除组合物,其中 该胺为烷醇胺。 12.如申请专利范围第9项所述之去除组合物,更包 括一防腐蚀物质为成分(b)。 13.如申请专利范围第12项所述之去除组合物,其中 该成分(b)为一防腐蚀物质由(1)嘌呤衍生物;(2)二硷 价(dibasic)或更高的化合物,任一该化合物具有至少 一羧基、拥有能与金属形成螯合物能力、及一疏 水基;(3)该嘌呤衍生物与-2-羧酸的混合物,或(4 )-2-羧酸与该化合物(2)的混合物;(5)化合物(1) 的该嘌呤衍生物与该化合物(2)的混合物;以及(6)化 合物(1)的该嘌呤衍生物、该化合物(2)与-2-羧 酸的混合物,所组成的族群中选出。 14.如申请专利范围第13项所述之去除组合物,其中 该化合物(2)为邻苯二甲酸。 15.如申请专利范围第13项所述之去除组合物,其中 化合物(1)的该嘌呤衍生物为腺嘌呤或其衍生物。 16.如申请专利范围第12项所述之去除组合物,包括0 .001到15重量%的成分(b)。 图式简单说明: 第1a图到第1c图系说明使用本发明去除溶液之半导 体元件示范制造步骤示意剖面图。 第2a图到第2d图系说明使用本发明去除溶液之紧接 在第1c图后的半导体元件示范制造步骤示意剖面 图。 |
