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1.一种具奈米结构之微米金属线的合成方法,其包 含步骤为: (a)于一惰性气体存在环境中,配制包含一第一金属 盐之第一溶液与包含一第二金属盐之第二溶液; (b)添加一第一还原剂于该第一溶液中,而形成一第 三溶液,其中该第一金属盐系藉由该第一还原剂而 还原为一成核粒子; (c)将该第三溶液加入该第二溶液中,而形成一第四 溶液; (d)添加一第二还原剂于该第四溶液中;以及 (e)提供一磁场,并于该磁场存在环境中热处理该第 四溶液。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该惰性气体系 选自氮气、氦气、氖气、氩气,以及含有上述气体 之混合气体其中之一。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一金属盐 中之金属系选自金、银、铁、钴、镍、硒、碲、 铜、铂,与其混合物所构成之族群其中之一。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一金属盐 系选自于金属氯化物、硝酸盐,以及有机金属化合 物所构成之族群其中之一。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二金属盐 系为一磁性金属盐。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二金属盐 系选自锡、铅、铜、汞、银、铂、金、硒、碲、 钴、镍、铁或其相互混合所构成之族群。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一还原剂 系选自硼氢化钠与磷酸钠盐其中之一。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二还原剂 具有之还原力系较该第一还原剂为弱。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二还原剂 更包含一先与金属形成一金属错合物之还原剂。 10.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二还原 剂系选自于联胺、坏血酸,以及柠檬酸所构成之族 群其中之一。 11.如申请专利范围第1项之方法,其于步骤(e)中之 热处理温度系对应于该第四溶液之浓度。 12.如申请专利范围第1项之方法,其于步骤(e)中,该 第四溶液之浓度系大于0.001M。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中该热处理温 度之范围系至少为摄氏70度。 图式简单说明: 第一图系为根据本发明一较佳实施例之合成方法 的流程图; 第二图,系为藉由本发明之合成方法所产生的钴奈 /微米线之X光绕射监定图谱(X-ray diffraction patterns, XRD); 第三图(a)至(e)系为本发明方法所制备之钴奈/微米 线的SEM照片;以及 第四图系为所制备之钴奈/微米线的磁滞曲线变化 图。 |
