| 主权项 |
1.一种二极体发光装置,其包括: 一座体结构,其具有: 一导热本体,于该导热本体内形成有一晶片基座, 又导热本体之壳体周边形成有至少一缺口; 至少一塑料绝缘体,固设于每一该缺口上;以及 至少一导线架,每一该导线架系独立且互不电性连 结,又每一该导线架均包覆于该塑料绝缘体中且两 端部凸出于该塑料绝缘体; 至少一二极体晶片,每一该二极体晶片系固设于该 晶片基座内,且每一该二极体晶片,均藉由一对导 线电性连结于该些导线架; 一取光层,覆盖于该晶片基座内已完成该些导线连 结之二极体晶片上;以及 一透镜,结合于该导热本体且覆盖于该晶片基座上 。 2.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置,其 中该导热本体进一步具有一组第一注料孔。 3.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置,其 中该导热本体系为一金属材质,又该金属材质系为 一金(Au)、或一银(Ag)或一铝(Al)或一铜(Cu)或一铁(Fe )或一钼(Mo)或一镍(Ni)或一由金、银、铝、铜、铁 、钼、镍中任两种(含)以上合成之金属材质。 4.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置,其 中该导热本体于该晶片基座之周边,设有一凹槽部 。 5.如申请专利范围第3项所述之二极体发光装置,其 中该凹槽部内,进一步填有一充填胶体。 6.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置,其 中该晶片基座具有一凹体。 7.如申请专利范围第6项所述之二极体发光装置,其 中该凹体之周边形成一阶梯部。 8.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置,其 中该导线架系为一端部向上且单一弯折之异型板 。 9.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置,其 中该二极体晶片系至少包含一红色、一蓝色及一 绿色之二极体晶片。 10.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置, 其中该些二极体晶片系至少具有二种发光颜色,且 覆盖于该些二极体晶片上之该取光层进一步掺入 有一扩散粉。 11.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置, 其中该些二极体晶片系为一蓝光之二极体晶片且 覆盖于该些二极体晶片上之该取光层上进一步覆 盖有一光波转换层。 12.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置, 其中该取光层系为一高透光之透明树脂或一透明 胶体。 13.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置, 其中该透镜系为一玻璃或一透明塑胶或一矽胶之 材质。 14.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置, 其中该导热本体上进一步设有一组第二注料孔。 15.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置, 其中每一该二极体晶片具有一正电极及一负电极, 每一该正电极均藉由一导线电性连结于一该导线 架,该负电极则藉由另一导线电性连结于另一共用 之该导线架。 16.如申请专利范围第1项所述之二极体发光装置, 其中每一该二极体晶片,系进一步先形成于一结合 座上,然后再将该结合座固设于该晶片基座内,且 每一该二极体晶片,均进一步藉由该结合座上与该 二极体晶片电性连结之一对导电板,经由该对导线 电性连结于该些导线架。 17.一种座体结构,系应用于一二极体发光装置中, 其包括: 一导热本体,于该导热本体内形成有一晶片基座, 又于导热本体之壳体周边形成有至少一缺口; 至少一塑料绝缘体,固设于每一该缺口上;以及 至少一导线架,每一该导线架系独立且互不电性连 结,又每一该导线架均包覆于该塑料绝缘体中且两 端部凸出于该塑料绝缘体。 18.如申请专利范围第17项所述之座体结构,其中该 导热本体进一步具有一组第一注料孔。 19.如申请专利范围第17项所述之座体结构,其中该 导热本体系为一金属材质,又该金属材质系为一金 (Au)、或一银(Ag)或一铝(Al)或一铜(Cu)或一铁(Fe)或 一钼(Mo)或一镍(Ni)或一由金、银、铝、铜、铁、 钼、镍中任两种(含)以上合成之金属材质。 20.如申请专利范围第17项所述之座体结构,其中该 导热本体于该晶片基座之周边,设有一凹槽部。 21.如申请专利范围第20项所述之座体结构,其中该 凹槽部内,进一步填有一充填胶体。 22.如申请专利范围第17项所述之座体结构,其中该 晶片基座具有一凹体。 23.如申请专利范围第22项所述之座体结构,其中该 凹体之周边形成一阶梯部。 24.如申请专利范围第17项所述之座体结构,其中该 导线架系为一端部向上且单一弯折之异型板。 25.如申请专利范围第17项所述之座体结构,其中该 导热本体上进一步设有一组第二注料孔。 26.一种二极体发光装置制造方法,其包括下列步骤 : 提供一导热本体,且该导热本体周边形成有至少一 缺口; 提供至少一导线架,设置于每一该缺口中; 提供一第一模具,将其结合于该导热本体上,并藉 由一组第一注料孔进行一塑料绝缘体之灌注作业 并使该些导线架与该导热本体电性隔离; 设置至少一二极体晶片于该导热本体之一晶片基 座内,又将每一该二极体晶片藉由一对导线电性连 结于该些导线架; 将一取光层,覆盖于该晶片基座内已完成该些导线 连结之该些二极体晶片上; 提供一第二模具,该第二模具具有一透镜型体之凹 槽; 充填用以制作该透镜之一透镜胶体于该第二模具 之凹槽内; 将已完成该二极体晶片与该导线架间之该些导线 连接且完成该取光层覆盖之该导热本体,结合于该 第二模具上;以及 当该透镜胶体凝固后,进行第二模具之退模作业。 27.如申请专利范围第26项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该组第一注料孔系设置于该导热本 体或该第一模具上。 28.如申请专利范围第26项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该二极体晶片之置放方法,系利用 一点胶、一银胶或共金方式,将该二极体晶片固设 于该晶片基座内。 29.如申请专利范围第26项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该二极体晶片之置放方法,系利用 高导热基座以其金、锡焊或点胶方式先与该二极 体晶片结合,然后再置放于该晶片基座内。 30.如申请专利范围第26项所述之二极体发光装置 制造方法,其中每一该二极体晶片,系进一步先以 倒装晶片方式制作于一结合座上,然后再将该结合 座固设于该晶片基座内,且每一该二极体晶片,均 进一步藉由该结合座上与该二极体晶片电性连结 之一对导电板,经由该对导线电性连结于该些导线 架。 31.如申请专利范围第26项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该取光层上进一步覆盖有一光波转 换层。 32.如申请专利范围第31项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该光波转换层系由一萤光粉胶体所 组成。 33.如申请专利范围第26项所述之二极体发光装置 制造方法,其中每一该二极体晶片具有一正电极及 一负电极,每一该正电极均藉由一导线电性连结于 一该导线架,该负电极则藉由另一导线电性连结于 另一共用之该导线架。 34.如申请专利范围第26项所述之二极体发光装置 制造方法,其中已完成该二极体晶片与该导线架间 之该些导线连接且完成该取光层覆盖之该导热本 体之一凹槽部内,进一步充填一胶体。 35.一种二极体发光装置制造方法,其包括下列步骤 : 提供一具有一组第二注料孔之导热本体,且该导热 本体周边形成有至少一缺口; 提供至少一导线架,设置于每一该缺口中; 提供一第一模具,将其结合于该导热本体上,并藉 由一组第一注料孔进行一塑料绝缘体之灌注作业 并使该些导线架与该导热本体电性隔离; 设置至少一二极体晶片于该导热本体之一晶片基 座内,又将每一该二极体晶片,均藉由一对导线电 性连结于该些导线架; 将一取光层,覆盖于该晶片基座内已完成该些导线 连结之该些二极体晶片上; 提供一第二模具,该第二模具具有一透镜型体之凹 槽; 将已完成该二极体晶片与该导线架间之该些导线 连接且完成该取光层覆盖之该导热本体,结合于该 第二模具上; 将用以制作该透镜之一透镜胶体,藉由该组第二注 料孔对该第二模具进行该透镜之灌注成型作业;以 及 当该透镜胶体凝固后,进行退模作业。 36.如申请专利范围第35项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该组第一注料孔系设置于该导热本 体或该第一模具上。 37.如申请专利范围第35项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该中二极体晶片之置放方法,系利 用一点胶、一银胶或共金方式,将该二极体晶片固 设于该晶片基座内。 38.如申请专利范围第35项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该二极体晶片之置放方法,系利用 高导热基座以其金、锡焊或点胶方式先与该二极 体晶片结合,然后再置放于该晶片基座内。 39.如申请专利范围第35项所述之二极体发光装置 制造方法,其中每一该二极体晶片,系进一步先以 倒装晶片方式制作于一结合座上,然后再将该结合 座固设于该晶片基座内,且每一该二极体晶片,均 进一步藉由该结合座上与该二极体晶片电性连结 之一对导电板,经由该对导线电性连结于该些导线 架。 40.如申请专利范围第35项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该取光层上进一步覆盖有一光波转 换层。 41.如申请专利范围第36项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该光波转换层系由一萤光粉胶体所 组成。 42.如申请专利范围第35项所述之二极体发光装置 制造方法,其中每一该二极体晶片具有一正电极及 一负电极,每一该正电极均藉由一导线电性连结于 一该导线架,该负电极则藉由另一导线电性连结于 另一共用之该导线架。 43.一种二极体发光装置制造方法,其包括下列步骤 : 提供一具有一组第二注料孔之导热本体,且该导热 本体周边形成有至少一缺口; 提供至少一导线架,设置于每一该缺口中; 提供一第一模具,将其结合于该导热本体上,并藉 由一组第一注料孔进行一塑料绝缘体之灌注作业 并使该些导线架与该导热本体电性隔离; 设置至少一二极体晶片于该导热本体之一晶片基 座内,又将每一该二极体晶片藉由一对导线电性连 结于该些导线架; 将一取光层,覆盖于该晶片基座内已完成该些导线 连结之该些二极体晶片上; 提供一透镜盖体,该透镜盖体系为一中空之壳体; 将已完成该二极体晶片与该导线架间之该些导线 连接且完成该取光层覆盖之该导热本体,与该透镜 盖体结合; 将用以制作该透镜之一透镜胶体,藉由该组第二注 料孔对该透镜盖体之中空部位进行该透镜之灌注 成型作业;以及 使灌注于该透镜盖体内之该透镜胶体凝固。 44.如申请专利范围第43项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该组第一注料孔系设置于该导热本 体或该第一模具上。 45.如申请专利范围第43项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该中二极体晶片之置放方法,系利 用一点胶、一银胶或共金方式,将该二极体晶片固 设于该晶片基座内。 46.如申请专利范围第43项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该二极体晶片之置放方法,系利用 高导热基座以共金、锡焊或点胶方式先与该二极 体晶片结合,然后再置放于该晶片基座内。 47.如申请专利范围第43项所述之二极体发光装置 制造方法,其中每一该二极体晶片,系进一步先以 倒装晶片方式制作于一结合座上,然后再将该结合 座固设于该晶片基座内,且每一该二极体晶片,均 进一步藉由该结合座上与该二极体晶片电性连结 之一对导电板,经由该对导线电性连结于该些导线 架。 48.如申请专利范围第43项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该取光层上进一步覆盖有一光波转 换层。 49.如申请专利范围第48项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该光波转换层系由一萤光粉胶体所 组成。 50.如申请专利范围第43项所述之二极体发光装置 制造方法,其中每一该二极体晶片具有一正电极及 一负电极,每一该正电极均藉由一导线电性连结于 一该导线架,该负电极则藉由另一导线电性连结于 另一共用之该导线架。 51.如申请专利范围第43项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该导热本体与该透镜盖体结合之方 式,系使该透镜盖体之端部与该导热本体密合且扣 合后呈紧配之状态。 52.如申请专利范围第51项所述之二极体发光装置 制造方法,其中该导热本体与该透镜盖体结合后, 再进一步于该透镜盖体之端部与该导热本体结合 处,涂布一黏胶。 图式简单说明: 第1图为本发明之一种具第一注料孔但没第二注料 孔之导热本体与导线架立体分解实施例图。 第2图为本发明之一种具第一注料孔但没第二注料 孔之导热本体与导线架立体结合实施例图。 第3图为本发明之一种具第一注料孔但没有第二注 料孔之导热本体、导线架及塑料绝缘体之立体结 合实施例图。 第4图为本发明之一种具第一注料孔但没第二注料 孔之座体结构立体实施例图。 第5图为本发明之一种具第一注料孔但没第二注料 孔之二极体发光装置立体实施例图。 第6图为沿第5图中A-A剖线之二极体发光装置剖视 实施例图。 第7图为本发明之一种具第一注料孔及第二注料孔 之二极体发光装置之仰视立体实施例图。 第8图为沿第7图中B-B剖线之二极体发光装置剖视 实施例图。 第9图为本发明之一种二极体晶片,其先以倒装晶 片方式制作于结合座上,然后再将结合座固设于晶 片基座内之剖视图。 第10图为本发明之一种晶片基座,其进一步含有一 光波转换层之剖视局部放大实施例图。 第11图为本发明之一种第一模具结合于一导热本 体之立体结合实施例图。 第12图为本发明之一种座体结构与已充填透镜胶 体之第二模具之分解实施例图。 第13图为本发明之一种座体结构与已充填透镜胶 体之第二模具之结合实施例图。 第14图为本发明之一种二极体发光装置制造方法 一之实施例流程图。 第15图系为本发明之一种具有一组第一注料孔及 一组第二注料孔之座体结构与第二模具之剖视分 解实施例图。 第16图系为本发明之一种具有一组第一注料孔及 一组第二注料孔之座体结构与第二模具结合后,灌 注透镜胶体之剖视结合实施例图。 第17图为本发明之一种二极体发光装置制造方法 二之实施例流程图。 第18图为本发明之一种具有一组第一注料孔及一 组第二注料孔之座体结构与透镜盖体之剖视分解 实施例图。 第19图为本发明之一种具有一组第一注料孔及一 组第二注料孔之座体结构与透镜盖体之剖视结合 实施例图。 第20图为本发明之一种二极体发光装置制造方法 三之实施例流程图。 |
