| 主权项 |
1.一种半导体基板之制造方法,其包括: 在基板内部形成扩散抑制层、剥离层,经由热处理 沿着前述剥离层剥离前述基板之一部分,同时抑制 前述剥离层中之剥离用物质越过前述扩散抑制层 而扩散。 2.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:前述基板系为单结晶矽基板。 3.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:沿着前述剥离层剥离前述基板之一 部分前,在前述半导体基板形成至少一部分之半导 体元件部。 4.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:沿着前述剥离层剥离前述基板之一 部分前,在前述半导体基板形成整体之半导体元件 部分。 5.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:剥离前述基板之一部分后,从前述基 板去除前述剥离层及前述扩散抑制层。 6.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:从前述基板去除前述剥离层与前述 扩散抑制层后,形成至少一部分之半导体元件部。 7.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:前述剥离层包含剥离用物质之浓度 分布之峰値。 8.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:前述剥离用物质为氢。 9.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:前述剥离用物质为氢及惰气。 10.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:在前述扩散抑制层中包括抑制剥离 用物质扩散之扩散抑制用物质,该抑制扩散用物质 为硼。 11.如申请专利范围第10项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:使硼离子植入之能源为E(KeV)、剂 量为D(cm-2)时,在满足 D≦2.7108E2.78 之条件下,以硼离子植入方式形成前述扩散抑制层 。 12.如申请专利范围第3项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:前述扩散抑制层中包含硼,其为抑制 剥离用物质扩散之扩散抑制用物质;在前述半导体 元件部之前述扩散抑制用物质之浓度,在前述半导 体层之表面为11017cm-3以下。 13.如申请专利范围第4项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:前述扩散抑制层中包含硼,其为抑制 剥离用物质扩散之扩散抑制用物质;在前述半导体 元件部之前述扩散抑制用物质之浓度,在前述半导 体层之表面为11017cm-3以下。 14.如申请专利范围第3项所记载之半导体基板之制 造方法,其中:在前述基板形成保护膜后,以离子植 入形成前述半导体元件部之一部分之半导体层;其 后,去除前述保护膜,以900℃以上形成绝缘膜;其后, 将形成前述扩散抑制层之物质予以离子植入。 15.一种半导体基板之制造方法,其包括: 在基板上形成扩散抑制层之步骤,以抑制剥离用物 质之透过扩散; 在前述基板形成剥离层之步骤,该剥离层包含前述 剥离用物质; 经由热处理,沿着前述剥离层剥离前述基板之一部 分之步骤。 16.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述基板为单结晶矽基板。 17.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:沿着前述剥离层剥离前述基板之 一部分前,在前述基板形成至少一部分之半导体元 件部。 18.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:沿着前述剥离层剥离前述基板之 一部分前,在前述基板形成整体半导体元件部。 19.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:剥离前述基板之一部分后,从前述 基板去除前述剥离层及前述扩散抑制层。 20.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:从前述基板去除前述剥离层及前 述扩散抑制层后,形成至少一部分之半导体元件部 。 21.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述剥离层包含剥离用物质之浓 度分布之峰値。 22.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述剥离用物质为氢。 23.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述剥离用物质为氢及惰气。 24.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述扩散抑制层包含抑制剥离用 物质扩散之扩散抑制用物质;该前述扩散抑制用物 质为硼。 25.如申请专利范围第24项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:使硼离子植入之能源为E(KeV)、剂 量为D(cm-2)时,在满足 D≦2.7108E2.78 之条件下,以硼离子植入方式形成前述扩散抑制层 。 26.如申请专利范围第17项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述扩散抑制层中包含硼,其为抑 制剥离用物质扩散之扩散抑制用物质;在前述半导 体元件部之半导体层之前述扩散抑制用物质之浓 度,在前述半导体层表面为11017cm-3以下。 27.如申请专利范围第18项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述扩散抑制层中包含硼,其为抑 制剥离用物质扩散之扩散抑制用物质;在前述半导 体元件部之半导体层之前述扩散抑制用物质之浓 度,在前述半导体层表面为11017cm-3以下。 28.如申请专利范围第17项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:在前述基板形成保护膜之后,经由 离子植入形成前述半导体元件部之一部分之半导 体层;其后,去除前述保护膜,以900℃以上形成绝缘 膜;其后将形成前述扩散抑制层之物质予以离子植 入。 29.一种半导体基板之制造方法,其包括: 在基板形成扩散抑制层与剥离层,将前述基板与其 他基板接合后,经由热处理沿着前述剥离层剥离前 述基板之一部分,同时抑制前述剥离层中之剥离用 物质越过前述扩散抑制层而扩散。 30.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述其他基板为玻璃基板。 31.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述基板为单结晶矽基板。 32.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:沿着前述剥离层剥离前述基板之 一部分前,在前述基板形成至少一部分之半导体元 件部。 33.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:沿着前述剥离层剥离前述基板之 一部分前,在前述基板形成整体半导体元件部。 34.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:剥离前述基板之一部分后,从前述 基板去除前述剥离层及前述扩散抑制层。 35.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:从前述基板去除前述剥离层与前 述扩散抑制层后,形成至少一部分之半导体元件部 。 36.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述剥离层包含剥离用物质之浓 度分布之峰値。 37.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述剥离用物质为氢。 38.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述剥离用物质为氢及惰气。 39.如申请专利范围第29项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述扩散抑制层包含抑制剥离用 物质扩散之扩散抑制用物质;该前述扩散抑制用物 质为硼。 40.如申请专利范围第39项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:使硼离子植入之能源为E(KeV)、剂 量为D(cm-2)时,在满足 D≦2.7108E2.78 之条件下,以硼离子植入方式形成前述扩散抑制层 。 41.如申请专利范围第32项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述扩散抑制层中包含硼,其为抑 制剥离用物质扩散之扩散抑制用物质;前述半导体 元件部之半导体层之前述扩散抑制用物质之浓度, 在前述半导体层表面,为11017cm-3以下。 42.如申请专利范围第33项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述扩散抑制层中包含硼,其为抑 制剥离用物质扩散之扩散抑制用物质;前述半导体 元件部之半导体层之前述扩散抑制用物质之浓度, 在前述半导体层表面为11017cm-3以下。 43.如申请专利范围第32项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:在前述基板形成保护膜后,经由离 子植入形成前述半导体元件部之一部分之半导体 层;其后去除前述保护膜,以900℃以上形成绝缘膜; 其后,将形成前述扩散抑制层之物质,予以离子植 入。 44.一种半导体基板之制造方法,其包括: 在基板形成扩散抑制层之步骤,以抑制剥离用物质 之透过扩散; 在前述基板形成剥离层之步骤,该剥离层包含前述 剥离用物质; 将前述基板与其他基板接合后,经由热处理,沿着 前述剥离层剥离前述基板之一部分之步骤。 45.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述其他基板为玻璃基板。 46.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述基板为单结晶矽基板。 47.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:沿着前述剥离层剥离前述基板之 一部分前,在前述基板形成至少一部分之半导体元 件部。 48.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:沿着前述剥离层剥离前述基板之 一部分前,在前述基板形成整体半导体元件部。 49.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:剥离前述基板之一部分后,从前述 基板去除前述剥离层及前述扩散抑制层。 50.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:从前述基板去除前述剥离层与前 述扩散抑制层后,形成至少一部分之半导体元件部 。 51.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述剥离层包含剥离用物质之浓 度分布之峰値。 52.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述剥离用物质为氢。 53.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述剥离用物质为氢及惰气。 54.如申请专利范围第44项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述扩散抑制层包含抑制剥离用 物质扩散之扩散抑制用物质,该前述扩散抑制用物 质为硼。 55.如申请专利范围第54项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:使硼离子植入之能源为E(KeV)、剂 量为D(cm-2)时,在满足 D≦2.7108E2.78 之条件下,以硼离子植入方式形成前述扩散抑制层 。 56.如申请专利范围第47项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述扩散抑制层中包含硼,其为抑 制剥离用物质扩散之扩散抑制用物质;在前述半导 体元件部之半导体层之前述扩散抑制用物质之浓 度,在前述半导体层表面为11017cm-3以下。 57.如申请专利范围第48项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述扩散抑制层中包含硼,其为抑 制剥离用物质扩散之扩散抑制用物质;在前述半导 体元件部之半导体层之前述扩散抑制用物质之浓 度,在前述半导体表面为11017cm-3以下。 58.如申请专利范围第47项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:在前述基板形成保护膜之后,以离 子植入形成前述半导体元件部之一部分之半导体 层;其后去除前述保护膜,以900℃以上形成绝缘膜; 其后,将形成前述扩散抑制层之物质予以离子植入 。 59.一种半导体基板之制造方法,其包括: 扩散抑制层形成步骤,在基板植入含硼离子形成扩 散抑制层; 活性化步骤,使前述扩散抑制层所含之硼活性化; 剥离层形成步骤,在前述基板植入含氢离子,在与 进行前述扩散抑制层之离子植入之基板面之相反 面,着前述扩散抑制层形成剥离层; 剥离步骤,经由将前述基板热处理,沿着前述剥离 层剥离前述基板之一部分。 60.如申请专利范围第59项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述基板为单结晶矽基板。 61.一种半导体基板之制造方法,其包括: 扩散抑制层形成步骤,在基板植入含硼之离子形成 扩散抑制层; 活性化步骤,使前述扩散抑制层所含之硼活性化; 剥离层形成步骤,在前述基板植入含氢之离子,在 与进行前述扩散抑制层之离子植入之基板面之相 反面形成剥离层; 黏接步骤,将前述基板黏接到其他基板; 剥离步骤,经由对前述基板热处理,沿着前述剥离 层剥离前述基板之一部分。 62.如申请专利范围第61项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述其他基板为玻璃基板。 63.如申请专利范围第61项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述基板为单结晶矽基板。 64.一种半导体基板之制造方法,其包括: 半导体元件部形成步骤,在基板设置至少一部分之 半导体元件部; 扩散抑制层形成步骤,沿着前述半导体元件部,将 含硼之离子植入前述基板形成扩散抑制层; 活性化步骤,使前述扩散抑制层所含硼活性化; 剥离层形成步骤,在与前述扩散抑制层之半导体元 件部安装面之相反面植入含氢之离子形成剥离层; 剥离步骤,经由将前述基板热处理,沿着前述剥离 层剥离前述基板之一部分。 65.如申请专利范围第64项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:经由前述半导体基板元件部形成 步骤所形成之半导体元件部为半导体层。 66.如申请专利范围第64项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述基板为单结晶矽基板。 67.一种半导体基板之制造方法,其包括: 半导体元件部形成步骤,在基板形成至少一部分之 半导体元件部; 扩散抑制层形成步骤,沿着前述半导体元件部将含 硼之离子植入前述基板形成扩散抑制层; 活性化步骤,使前述扩散抑制层所含之硼活性化; 剥离层形成步骤,在与形成前述扩散抑制层之至少 一部分之半导体元件部之相反面,植入含氢离子形 成剥离层; 黏接步骤,将前述基板黏接到其他基板; 剥离步骤,经由将前述基板热处理,沿着前述剥离 层剥离前述基板之一部分。 68.如申请专利范围第67项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:经由前述半导体元件部形成步骤 形成之半导体元件部为半导体层。 69.如申请专利范围第67项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述其他基板为玻璃基板。 70.如申请专利范围第67项所记载之半导体基板之 制造方法,其中:前述基板为单结晶矽基板。 71.一种半导体基板,其中: 该半导体基板系由单结晶矽材料所构成,在含氢之 剥离层一部分被剥离; 具有至少一部分之半导体元件部,同时硼之浓度分 布之峰値沿着该半导体元件部层状形成。 72.一种半导体基板,其中: 在单结晶矽基板形成至少一部分之半导体元件部; 沿着前述半导体元件部,硼之浓度分布之峰値以层 状形成,同时,从前述硼之浓度分布之峰値来看,在 与前述半导体元件部所形成之相反面,氢之浓度分 布之峰値以层状形成。 73.一种半导体基板,其中: 半导体基板系由形成半导体层之单结晶矽材料所 构成; 在前述半导体层所形成之氢及硼之浓度分布从一 面向另一面倾斜。 74.一种半导体基板,其中: 该半导体基板系将单结晶矽基板黏贴到玻璃基板 而构成,该单结晶矽基板具有半导体层与剥离层, 经由热处理沿着前述剥离层其一部分遭到剥离; 在前述单结晶矽基板形成之氢及硼之浓度分布,从 一面向另外一面倾斜。 75.一种半导体基板,其包括: 半导体元件部,在单结晶矽基板上至少包含半导体 层; 剥离层,沿着前述半导体元件部设置而含氢,氢为 剥离用物质,经由热处理剥离前述单晶矽基板之一 部分; 扩散抑制层,设于前述剥离层与前述半导体元件之 间而含硼,硼为扩散抑制用物质,抑制前述氢经由 前述热处理扩散到前述半导体元件部。 76.如申请专利范围第75项所记载之半导体基板,其 中: 前述半导体元件部包含半导体层与闸极; 在前述半导体层闸极侧之表面,前述扩散抑制用物 质之浓度,在前述半导体层表面为11017cm-3以下。 77.如申请专利范围第75项所记载之半导体基板,其 中: 半导体元件部包含半导体层; 在前述半导体层之前述扩散抑制用物质之浓度,在 前述半导体层表面为11017cm-3以下。 78.一种半导体基板,其中: 该半导体基板系将单结晶矽基板黏贴到玻璃基板 而构成,该单结晶矽基板形成剥离层经由热处理沿 着前述剥离层一部分被剥离; 在被黏贴到玻璃基板之单结晶矽基板,氢及硼之浓 度分布从一面向另外一面倾斜。 79.如申请专利范围第78项所记载之半导体基板,其 中: 形成于前述单结晶矽基板之半导体元件部与形成 于前述玻璃基板之半导体元件部包括以同一制程 所形成之层。 80.一种半导体基板,其系由单结晶矽材料所构成, 氢之浓度峰値以层状形成,同时,在比前述氢之浓 度峰値层状形成之位置靠近表面这一侧,硼之浓度 分布之峰値以层状形成。 81.一种半导体基板,其包括: 含氢之剥离层,氢为剥离用物质,用来在单结晶矽 基板经由热处理剥离前述单结晶矽基板之一部分; 含硼之扩散抑制层,硼为扩散抑制用物质,用来抑 制氢扩散到经由前述热处理沿着前述剥离层一部 分遭到剥离之单结晶矽基板。 82.如申请专利范围第81项所记载之半导体基板,其 中:在前述单结晶矽基板表面之扩散抑制用物质、 硼之浓度,在前述单结晶矽基板表面为11017cm-3以 下。 83.一种半导体基板,其中:在基板形成扩散抑制层 与剥离层,经由热处理沿着前述剥离层剥离前述基 板之一部分时,抑制前述剥离层中之剥离用物质越 过前述扩散抑制层而扩散。 84.一种半导体基板,其中: 在基板形成抑制剥离用物质之透过扩散之扩散抑 制层、与包含前述剥离用物质之剥离层; 经由热处理沿着前述剥离层剥离前述基板之一部 分。 85.一种半导体基板,其中: 在基板形成扩散抑制层与剥离层,将前述基板与其 他基板接合后,经由热处理,沿着前述剥离层剥离 前述基板之一部分,同时,抑制前述剥离层中之剥 离用物质越过前述扩散抑制层而扩散。 86.如申请专利范围第85项所记载之半导体基板,其 中:前述扩散抑制层与前述剥离层同时被去除。 87.如申请专利范围第85项所记载之半导体基板,其 中:前述基板为单结晶矽基板。 88.一种半导体基板,其中: 在基板形成抑制剥离用物质之透过扩散之扩散抑 制层、与包含前述剥离用物质之剥离层; 将前述基板与其他基板接合后,经由热处理,沿着 前述剥离层剥离前述基板之一部分。 89.如申请专利范围第88项所记载之半导体基板,其 中:前述扩散抑制层与前述剥离层同时被去除。 90.如申请专利范围第88项所记载之半导体基板,其 中:前述基板为单结晶矽基板。 91.一种半导体基板,其中: 该半导体基板系具备基板以及与该基板黏贴之其 他基板; 前述基板之形成步骤包括:形成扩散抑制层之扩散 抑制层形成步骤、使前述扩散抑制层所含之扩散 抑制用物质活性化之活性化步骤、沿着前述扩散 抑制层形成剥离层之剥离层形成步骤、以及经由 对前述基板热处理沿着前述剥离层剥离前述基板 之一部分之剥离步骤。 92.如申请专利范围第91项所记载之半导体基板,其 中:前述扩散抑制层与前述剥离层同时被去除。 93.如申请专利范围第91项所记载之半导体基板,其 中:前述其他基板为玻璃基板。 94.如申请专利范围第91项所记载之半导体基板,其 中:前述基板为单结晶矽基板。 95.一种半导体基板,其形成步骤包括: 扩散抑制层形成步骤,将含硼之离子植入基板形成 扩散抑制层; 活性化步骤,使前述扩散抑制层所含之硼活性化; 剥离层形成步骤,植入含氢之离子,在与进行前述 扩散抑制层之离子植入之相反面,沿着前述扩散抑 制层形成剥离层; 剥离步骤,经由将前述基板热处理,沿着前述剥离 层,剥离前述基板之一部分。 96.如申请专利范围第95项所记载之半导体基板,其 中:前述扩散抑制层与前述剥离层同时被去除。 97.如申请专利范围第95项所记载之半导体基板,其 中:前述基板为单结晶矽基板。 98.一种半导体基板,其形成步骤包括: 扩散抑制层形成步骤,在基板植入含硼之离子形成 扩散抑制层; 活性化步骤,使前述扩散抑制层所含之硼活性化; 剥离层形成步骤,植入含氢之离子,在与进行前述 扩散抑制层之离子植入之相反面形成剥离层; 黏贴步骤,将前述基板黏贴到其他基板; 剥离步骤,经由对前述基板热处理,沿着前述剥离 层剥离前述基板之一部分。 99.如申请专利范围第98项所记载之半导体基板,其 中:前述扩散抑制层与前述剥离层被同时去除。 100.如申请专利范围第98项所记载之半导体基板,其 中:前述基板为玻璃基板。 101.如申请专利范围第98项所记载之半导体基板,其 中:前述基板为单结晶矽基板。 102.一种半导体基板,其形成步骤包括: 半导体元件部形成步骤,在基板设置至少一部分之 半导体元件部; 扩散抑制层形成步骤,沿着前述半导体元件部,植 入含硼之离子形成扩散抑制层; 活性化步骤,使前述扩散抑制层所含硼活性化; 剥离层形成步骤,在与前述扩散抑制层之半导体元 件部安装之相反面,植入含氢之离子形成剥离层; 剥离步骤,经由对前述基板热处理,沿着前述剥离 层,剥离前述基板之一部分。 103.如申请专利范围第102项所记载之半导体基板, 其中:前述扩散抑制层与前述剥离层同时被去除。 104.如申请专利范围第102项所记载之半导体基板, 其中:前述基板为单结晶矽基板。 105.一种半导体基板,其形成步骤包括: 半导体元件部形成步骤,在基板设置至少一部分之 半导体元件部; 扩散抑制层形成步骤,沿着前述半导体元件部植入 含硼之离子,形成扩散抑制层; 活性化步骤,使前述扩散抑制层所含硼活性化; 剥离层形成步骤,在与形成前述扩散抑制层之至少 一部份之半导体元件部之相反面,植入含氢之离子 形成剥离层; 黏贴步骤,将前述基板黏贴到其他基板; 剥离步骤,经由对前述基板热处理,沿着前述剥离 层,剥离前述基板之一部分。 106.如申请专利范围第105项所记载之半导体基板, 其中:前述扩散抑制层与前述剥离层同时被去除。 107.如申请专利范围第105项所记载之半导体基板, 其中:前述基板为玻璃基板。 108.如申请专利范围第105项所记载之半导体基板, 其中:前述基板为单结晶矽基板。 图式简单说明: 图1系显示实施形态1之半导体装置之剖面图。 图2系显示植入用来形成通道区域的硼之步骤。 图3系显示绝缘层形成步骤及第2元素离子植入之 步骤图。 图4系显示以闸极为罩幕植入杂质之步骤图。 图5系显示以闸极及侧壁为罩幕植入杂质之步骤图 。 图6系显示活性化之步骤图。 图7为形成第2层间绝缘膜之步骤图。 图8系显示形成剥离层之步骤图。 图9系显示形成汲极及源极之步骤图。 图10系显示黏接之步骤图。 图11系显示分割之步骤图。 图12系显示矽基板之深度位置与硼浓度之相关曲 线图。 图13系显示实施形态2之半导体装置之模型剖面图 。 图14系显示形成绝缘层之步骤图。 图15系显示形成扩散抑制层及活性化之步骤图。 图16系显示形成剥离层之步骤图。 图17系显示黏接之步骤图。 图18系显示分割之步骤图。 图19系显示去除之步骤图。 图20系显示植入用来形成通道区域的硼之步骤图 。 图21系显示以闸极为罩幕植入杂质之步骤图。 图22系显示形成层间绝缘膜之步骤图。 图23系显示形成汲极及源极之步骤图。 图24系显示实施形态3之半导体装置之模型剖面图 。 图25系显示形成高浓度杂质区域之步骤图。 图26系显示活性化之步骤图。 图27系显示形成第2层间绝缘膜之步骤图。 图28系显示形成剥离层之步骤图。 图29系系显示黏接之步骤图。 图30系显示分割之步骤图。 图31系显示去除之步骤图。 图32系显示形成汲极及源极之步骤图。 图33系显示矽基板表面浓度为1017cm-3以下、硼元素 离子植入时之剂量及植入能源范围图。 图34系显示形成有复数元件之玻璃基板之模型斜 视图。 图35系显示现有技术上形成绝缘层之步骤图。 图36系显示现有技术上黏接玻璃基板之步骤图。 图37系显示现有技术上植入氢之步骤图。 图38系显示现有技术上分割半导体层之一部分予 以去除之步骤图。 |
