| 主权项 |
1.一种化合物半导体开关电路装置,系包含: 复数个开关元件; 共通输入端子,共通连接于前述复数个开关元件的 各个开关元件的源极或汲极; 复数个输出端子,各自连接于该各开关元件的汲极 或源极;以及 复数个控制端子,各自连接于该各开关元件的闸极 , 其特征为将: 该各开关元件;各自连接该各控制端子与对应该控 制端子的该各开关元件之复数个连接手段;及成为 该各端子的复数个焊垫,积集化于化合物半导体基 板, 一个该连接手段系具有:与连接成为该共通输入端 子之焊垫与该各开关元件的配线交叉的交叉部,在 一个成为该控制端子的焊垫与该交叉部之间串联 连接有高电阻体,该高电阻体系构成该一个连接手 段的一部分。 2.如申请专利范围第1项之化合物半导体开关电路 装置,其中,另一个该连接手段系具有:与连接成为 该共通输入端子之焊垫与该各开关元件的配线交 叉的另一交叉部,在成为另一该控制端子的焊垫与 该另一交叉部之间串联连接有另一的高电阻体,该 另一的高电阻体系构成该另一连接手段的一部分 。 3.如申请专利范围第1项之化合物半导体开关电路 装置,其中,该高电阻体系连接于距成为该一个控 制端子的焊垫之100m以内。 4.如申请专利范围第1项之化合物半导体开关电路 装置,其中,该各开关元件系具有离子植入杂质到 该基板而形成的通道层之FET,该高电阻体系由该杂 质的植入区域构成,具有与该通道层同程度的峰値 浓度。 5.如申请专利范围第1项之化合物半导体开关电路 装置,其中,该各开关元件系在该基板上叠层:缓冲 层、电子供应层、通道层、阻障层以及成为覆盖 层的半导体层之高电子移动度电晶体(HEMT),该高电 阻体系藉由去除该覆盖层,露出比该覆盖层还下方 的该半导体层之区域构成。 6.如申请专利范围第5项之化合物半导体开关电路 装置,其中,该高电阻体系薄膜电阻比该覆盖层还 高。 7.如申请专利范围第5项之化合物半导体开关电路 装置,其中,构成该高电阻体的半导体层的最上层 系该阻障层。 8.如申请专利范围第5项之化合物半导体开关电路 装置,其中,在该阻障层上配置有InGaP层,构成该高 电阻体的半导体层之最上层系该InGaP层。 9.如申请专利范围第1项之化合物半导体开关电路 装置,其中,该高电阻体系具有5K以上的电阻値。 10.如申请专利范围第1项之化合物半导体开关电路 装置,其中,该配线系藉由构成该焊垫的焊垫金属 层构成,该交叉部的该连接手段系在该配线下方隔 着绝缘膜配置。 11.如申请专利范围第10项之化合物半导体开关电 路装置,其中,配置于该焊垫金属层下方的该连接 手段系具有低的薄膜电阻値的低电阻体。 12.如申请专利范围第1项之化合物半导体开关电路 装置,其中,高频类比信号系传输于该配线。 13.一种化合物半导体开关电路装置,系包含: 第一开关元件及第二开关元件; 共通输入端子,共通连接于该两开关元件的源极或 汲极; 第一输出端子及第二输出端子,各自连接于该两开 关元件的汲极或源极;以及 第一控制端子及第二控制端子,各自连接于该第一 开关元件及第二开关元件的闸极,并将, 该第一及第二开关元件;连接该第一控制端子与该 第一开关元件之第一连接手段;连接该第二控制端 子与该第二开关元件之第二连接手段;配置于该第 一开关元件及第二开关元件的周围,成为该各端子 的复数个焊垫,积集化于化合物半导体基板, 该第一连接手段及该第二连接手段系具有:与连接 成为该共通输入端子之焊垫与该第一开关元件及 第二开关元件的配线各自交叉的交叉部,在成为该 第一控制端子的焊垫与该交叉部之间以及在成为 该第二控制端子的焊垫与该交叉部之间,各自串联 连接有具有薄膜电阻値比该交叉部的连接手段的 薄膜电阻値还高的高电阻体,该高电阻体系各自构 成该第一连接手段及该第二连接手段的一部分。 图式简单说明: 第1图是说明本发明用的电路图。 第2图是说明本发明用的(A)俯视图、(B)剖面图。 第3图(A)及(B)是说明本发明用的剖面图。 第4图(A)至(D)是说明本发明用的剖面图。 第5图是说明本发明用的剖面图。 第6图是说明本发明用的剖面图。 第7图是说明本发明用的电路图。 第8图是说明本发明用的(A)俯视图、(B)剖面图、(C) 剖面图。 第9图(A)及(B)是说明习知技术用的电路图。 第10图是说明习知技术用的俯视图。 第11图是说明习知技术用的剖面图。 |
