发明名称 一种相位移式光罩
摘要 本发明披露一种相位移式光罩,包含有一透光基板;一形成在该透光基板上,且沿第一方向配置的复数行第一相位移线条图案,具有一第一基板厚度,各该复数行第一相位移线条图案上皆分布有复数个不透光的铬图案,且在两个相邻的该铬图案之间为一第一相位移透光区域,其中该复数个不透光的铬图案系与该第一方向呈45度角斜向配置者;以及一形成在该透光基板上,与该复数行第一相位移线条图案平行配置的复数行第二相位移线条图案,该复数行第二相位移线条图案上完全透光且具有一第二基板厚度,其中该第一相位移线条图案与该第二相位移线条图案具有相同线宽且呈交替排列。
申请公布号 TWI297101 申请公布日期 2008.05.21
申请号 TW094112595 申请日期 2005.04.20
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 洪永隆;吴元薰
分类号 G03F1/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F1/00(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路389号5楼
主权项 1.一种相位移式光罩,包含有: 一透光基板; 一形成在该透光基板上,且沿第一方向配置的复数 行第一相位移线条图案,具有一第一基板厚度,各 该复数行第一相位移线条图案上皆分布有复数个 不透光的铬图案,且在两个相邻的该铬图案之间为 一第一相位移透光区域,其中该复数个不透光的铬 图案系与该第一方向呈45度角斜向配置者;以及 一形成在该透光基板上,与该复数行第一相位移线 条图案平行配置的复数行第二相位移线条图案,该 复数行第二相位移线条图案上完全透光且具有一 第二基板厚度,其中该第一相位移线条图案与该第 二相位移线条图案具有相同线宽且呈交替排列。 2.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该复数个不透光的铬图案大小相等。 3.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该复数个不透光的铬图案系等距分布在该第一相 位移线条图案上。 4.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该不透光的铬图案在该第一方向的长度介于/4 与3/4之间,其中代表曝光光源之波长。 5.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该第一相位移透光区域在该第一方向的长度介于 /4与3/4之间,其中代表曝光光源之波长。 6.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该第一基板厚度大于该第二基板厚度,使光线通过 该第一相位移透光区域与通过该复数条第二相位 移线条图案的相位差为180度。 7.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该透光基板为石英基板。 图式简单说明: 第1图绘示的是习知交替式相位移式光罩的剖面结 构示意图。 第2图绘示的是习知无铬膜相位移式光罩之剖面结 构示意图。 第3图绘示的是动态随机存取记忆体元件的字元线 布局。 第4图绘示的是本发明第一实施例之相位移式光罩 的部分布局示意图。 第5图绘示的是沿着第4图中的切线I-I所视的剖面 示意图。 第6图绘示的是沿着第4图中的切线II-II所视的剖面 示意图。 第7图则是经由第4图中的相位移式光罩经由曝光 转移至光阻上的结果图案。 第8图显示的是第7图中的密集线条图案202a及202b的 关键尺寸均匀度。 第9图绘示的是本发明第二实施例之相位移式光罩 的部分布局示意图。 第10图绘示的是沿着第9图中的切线Ⅲ-Ⅲ所视的剖 面示意图。 第11图绘示的是沿着第9图中的切线Ⅳ-Ⅳ所视的剖 面示意图。 第12图则是经由第9图中的相位移式光罩经由曝光 转移至光阻上的结果图案。 第13图显示的是第12图中的密集线条图案302a及302b 的关键尺寸均匀度。
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号