| 主权项 |
1.一种无电电镀方法,其包含: 加热温和蚀刻剂溶液; 以该经加热的温和蚀刻剂溶液冲洗金属基材; 加热无电电镀溶液; 以该经加热的无电电镀溶液冲洗该金属基材; 加热还原剂溶液; 混合该经加热的无电电镀溶液与该经加热的还原 剂溶液而形成自身催化浴;以及 将该自身催化浴施于该金属基材。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该经加热的无 电电镀溶液与该经加热的还原剂溶液之混合刚好 在该自身催化浴施于该金属基材之前发生。 3.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含在以 该经加热的温和蚀刻剂溶液冲洗该金属基材之前, 先以去离子水冲洗该金属基材。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该温和蚀刻剂 溶液系加热到介于约30℃与约90℃之间的温度。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该温和蚀刻剂 具有约pH 1与约pH 6之间的pH。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该温和蚀刻剂 包含有机酸或有机界面活性剂。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中 若该温和蚀刻剂包含有机酸,则该有机酸包含至少 一选自柠檬酸、草酸、醋酸及乳酸的酸, 此外若该温和蚀刻剂包含有机界面活性剂,则该有 机界面活性剂包含至少一选自聚乙二醇及乙二醇 的界面活性剂。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该无电电镀溶 液系加热到介于约30℃与约90℃之间的温度。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该无电电镀溶 液包含金属溶液。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中该金属溶液 包含至少一选自钴、银、金、镍、铜、铁、钯、 铂、铑、铱、铬、钼、钨、锰、、钌、锇及铼 的金属。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中该无电电镀 溶液进一步包含错合剂、缓冲剂及pH调节剂。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该还原剂溶 液系加热到介于约30℃与约90℃之间的温度。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中该还原剂溶 液包含至少一选自硼氢化物、二甲基胺硼烷、胺 硼烷类、次磷酸盐、甲醛、及乙醛酸的化学药 品。 14.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含: 在施加该自身催化浴之后,第二次以去离子水冲洗 该金属基材;以及 在第二次以去离子水冲洗该金属基材之后,以氢氟 酸溶液冲洗该金属基材。 15.如申请专利范围第1项之方法,其中使用喷涂法 将该自身催化浴施于该金属基材。 16.一种无电电镀方法,其包含: 配送温和蚀刻剂溶液以供施于晶圆; 分开地配送无电电镀溶液与还原剂溶液以供混合 并施于晶圆; 在配送时,将该温和蚀刻剂溶液、该无电电镀溶液 及该还原剂溶液串列地加热到施加温度; 将该经加热的温和蚀刻剂溶液施于该晶圆; 实质上刚好在施于该晶圆之前,串列地混合该经加 热的无电电镀溶液与该经加热的还原剂溶液;以及 将该经加热的无电电镀溶液与该经加热的还原剂 溶液之混合物施于该晶圆。 17.如申请专利范围第16项之方法,其进一步包含: 配送去离子水溶液以供施于晶圆;以及 在将该经加热的温和蚀刻剂溶液施于该晶圆之前, 先将该去离子水溶液施于该晶圆。 18.如申请专利范围第17项之方法,其进一步包含在 将该混合物施于该晶圆之后,第二次将该去离子水 溶液施于该晶圆。 19.如申请专利范围第16项之方法,其中该温和蚀刻 剂溶液系加热到介于约30℃与约90℃之间的温度。 20.如申请专利范围第16项之方法,其中该无电电镀 溶液系加热到介于约30℃与约90℃之间的温度。 21.如申请专利范围第16项之方法,其中该还原剂溶 液系加热到介于约30℃与约90℃之间的温度。 22.如申请专利范围第16项之方法,其中该温和蚀刻 剂包含有机酸。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中该有机酸包 含至少一选自柠檬酸、草酸、醋酸及乳酸的酸。 24.如申请专利范围第18项之方法,其进一步包含: 配送氢氟酸溶液以供施于晶圆;以及 在第二次施加该去离子水溶液于该晶圆之后,将氢 氟酸溶液施于该晶圆。 25.一种无电电镀装置,其包含: 一POU室,在无电电镀处理的期间用以固定半导体晶 圆; 一经由第一次配送连到该POU室之用以储存温和蚀 刻剂溶液的第一化学药品槽; 一经由第二次配送连到该POU室之用以储存无电电 镀溶液的第二化学药品槽; 一经由第三次配送连到该POU室之用以储存还原剂 溶液的第三化学药品槽;和 一经由第四次配送连到该POU室之用以储存去离子 水溶液的第四化学药品槽; 其中该第二次与第三次配送刚好在该POU室前相交, 以混合该无电电镀溶液与该还原剂溶液。 26.如申请专利范围第25项之装置,其中该POU室具有 钝性氛围。 27.如申请专利范围第25项之装置,其进一步包含: 一连到该第一次配送以加热该温和蚀刻剂溶液的 第一串列加热器; 一连到该第二次配送以加热该无电电镀溶液的第 二串列加热器;以及 一连到该第三次配送以加热该还原剂溶液的第三 串列加热器。 28.如申请专利范围第25项之装置,其进一步包含连 到该第四次配送以冷却该去离子水溶液的串列冷 却装置。 29.如申请专利范围第25项之装置,其进一步包含用 以操作该无电电镀装置的系统控制器。 30.如申请专利范围第25项之装置,其进一步包含一 或多个泵,用以自该化学药品槽将该等溶液移至该 POU槽。 31.如申请专利范围第25项之装置,其进一步包含: 一经由第五次配送连到该POU室之用以储存氢氟酸 溶液的第五化学药品槽。 32.如申请专利范围第25项之装置,其进一步包含一 或多个连到该第一化学药品槽而以大宗的形式储 存该温和蚀刻剂溶液的成分之化学药品罐。 33.如申请专利范围第25项之装置,其进一步包含一 或多个连到该第二化学药品槽而以大宗的形式储 存该无电电镀溶液的成分之化学药品罐。 34.如申请专利范围第25项之装置,其进一步包含一 或多个连到该第三化学药品槽而以大宗的形式储 存该还原剂溶液的成分之化学药品罐。 35.如申请专利范围第31项之装置,其进一步包含一 或多个连到该第五化学药品槽而以大宗的形式储 存该氢氟酸溶液的成分之化学药品罐。 图式简单说明: 第1图举例说明根据本发明的赁施形态之无电电镀 系统。 第2图为根据本发明的实施形态之无电电镀方法。 第3图为根据本发明的实施形态之电镀后清洁方法 。 第4图为根据本发明的实施形态之铜上钴连接导线 结构的形成方法。 第5A图举例说明使用先前技术的方法所形成之铜 上钴连接导线。 第5B图举例说明使用本发明的方法所形成之铜上 钴连接导线。 |
