| 主权项 |
1.一种凹入式闸极MOS电晶体元件的制作方法,包含 有: 提供一半导体基底,其中该半导体基底具有一主表 面,且在该主表面上形成有一垫层; 于该半导体基底中形成复数个沟渠电容,其中各该 复数个沟渠电容皆有一沟渠上盖层,且该沟渠上盖 层的上表面高于该半导体基底之该主表面; 进行一微影及蚀刻制程,于该半导体基底中形成复 数个绝缘浅沟; 于该半导体基底与该绝缘浅沟上沈积一绝缘层,并 填满该绝缘浅沟; 回蚀刻该绝缘层,使该绝缘层之上表面低于该沟渠 上盖层的上表面; 剥除该垫层,以曝露出该半导体基底及该沟渠上盖 层; 于该沟渠上盖层的侧壁上形成一侧壁子; 利用该侧壁子作为一蚀刻硬遮罩,蚀刻该半导体基 底,形成一闸极沟渠; 于该闸极沟渠的侧壁以及底部上形成一闸极介电 层;以及 于该闸极介电层上形成一闸极材料层,并使其填满 该闸极沟渠。 2.如申请专利范围第1项所述之一种凹入式闸极MOS 电晶体元件的制作方法,其中该绝缘层系为一高密 度电浆化学气相沈积(HDPCVD)矽氧绝缘层。 3.如申请专利范围第1项所述之一种凹入式闸极MOS 电晶体元件的制作方法,其中该垫层包含有一氮化 矽层以及一矽氧层。 4.如申请专利范围第1项所述之一种凹入式闸极MOS 电晶体元件的制作方法,其中于该半导体基底与该 绝缘浅沟上沈积该绝缘层之前,该方法另包含有: 于该绝缘浅沟的内壁上沈积一衬垫层。 5.如申请专利范围第4项所述之一种凹入式闸极MOS 电晶体元件的制作方法,其中该衬垫层系为氮化矽 衬垫层。 6.如申请专利范围第1项所述之一种凹入式闸极MOS 电晶体元件的制作方法,其中于该沟渠上盖层的侧 壁上形成该侧壁子系利用一非等向性乾蚀刻制程 。 图式简单说明: 第1图绘示的是本发明较佳实施例记忆体阵列区域 中的沟渠电容布局的上视示意图。 第2图至第22图绘示的是本发明较佳实施例凹入式 闸极MOS电晶体元件的制作方法的剖面示意图。 第23图绘示的是第4图中记忆体阵列区域的上视示 意图。 |
