| 发明名称 | 高频高介陶瓷介质及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高频高介陶瓷介质，其组分及原料重量百分比含量为：BZH玻璃粉9～31％，BNT陶瓷介质熔块69～91％；所述BZH玻璃粉的组分及其原料重量百分比含量为BaO32～33％、ZnO 26～27％、H<SUB>3</SUB>BO<SUB>4</SUB> 40～41％；所述BNT陶瓷介质熔块的组分及其原料重量百分比含量为BaCO<SUB>3</SUB> 19～20％、Nd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 19～20％、Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 26～27％、TiO<SUB>2</SUB> 34.5～35.5％。制备步骤为：(1)制作BZH玻璃粉(2)制作BaO－Nd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>－TiO<SUB>2</SUB>系统BNT陶瓷介质熔块(3)制作BaO－Nd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>－TiO<SUB>2</SUB>系统陶瓷介质。本发明克服了现有技术的介电常数ε偏低的缺点，提供了一种低温烧结、高介电常数、低介质损耗、并具有优良热稳定性的高频高介陶瓷介质，应用于IC领域的低温共烧陶瓷技术。 | ||
| 申请公布号 | CN101182200A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200710150065.4 | 申请日期 | 2007.11.05 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 吴顺华;王爽;陈力颖;陈志兵;刘俊峰 |
| 分类号 | C04B35/46(2006.01);C04B35/622(2006.01) | 主分类号 | C04B35/46(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 曹玉平 |
| 主权项 | 1.一种高频高介陶瓷介质，其特征在于，由下列组分按原料重量百分比组成：BZH玻璃粉9～31％，BNT陶瓷介质熔块69～91％；所述BZH玻璃粉的组分及其原料重量百分比含量为BaO 32～33％、ZnO 26～27％、H3BO4 40.5～41％；所述BNT陶瓷介质熔块的组分及其原料重量百分比含量为BaCO3 18.4～19.8％、Nd2O3 7.3～27.6％、Bi2O3 16.4～40.6％、TiO2 33.7～36.2％。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 | ||