| 发明名称 | 薄膜半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法，即使在低的基板温度下也能维持成膜速度而把结晶性硅薄膜在基板上成膜，这样把结晶性硅薄膜直接向基板上成膜在生产上实用化，而且谋求通过使用该硅薄膜而高性能化。利用把以Si<SUB>n</SUB>H<SUB>2n+2</SUB>(n＝1、2、3、…)表示的硅烷类气体和卤化锗气体作为原料气体而使用的等离子CVD法，把包含结晶结构的硅薄膜在基板上进行成膜的工序。作为卤化锗气体至少使用GeF<SUB>2</SUB>、GeF<SUB>4</SUB>和GeCl<SUB>4</SUB>中的一种。作为原料气体还通过使用掺杂剂气体而把含有被活性化了的掺杂剂的硅薄膜进行成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101183643A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200710186006.2 | 申请日期 | 2007.11.09 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 国井正文 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C30B25/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;马高平 |
| 主权项 | 1.一种薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于，利用把以SinH2n+2 表示的硅烷类气体和卤化锗气体作为原料气体而使用的等离子CVD法，把包含结晶结构的硅薄膜在基板上进行成膜的工序，其中，n＝1、2、3、...。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||