发明名称 控制回蚀刻截面轮廓的方法和装置
摘要 一种控制回蚀刻截面轮廓的方法和装置。包括:对第一介电层进行第一蚀刻,形成第一介层洞和第二介电层;用BARC材料填充第一介层洞,形成第一BARC层;对第一BARC层进行第二蚀刻,形成第二BARC层。第二蚀刻在第二BARC层的第一圆周形区域具有第一蚀刻率,而在第二BARC层的第一区域具有第二蚀刻率。第一圆周形区域环绕于第一介层洞侧壁,第一区域环绕于第一介层的中心。第一蚀刻率大于第二蚀刻率,第一圆周形区域低于第一区域。对第二介电层进行第三蚀刻,形成一个沟槽和第三BARC层。该沟槽的槽底面上明显没有任何环绕于第三BARC层侧壁的尖刺。
申请公布号 CN100389488C 申请公布日期 2008.05.21
申请号 CN200310122966.4 申请日期 2003.12.30
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 吴汉明;邝亚镭;宋伟基
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/30(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 王怡
主权项 1.一种制作电接触窗的开口的方法,此方法包括:对第一介电层进行第一蚀刻,形成第一介层洞和第二介电层;用BARC材料填充该第一介层洞,形成第一BARC层;对该第一BARC层进行第二蚀刻,形成第二BARC层,该第二蚀刻在该第二BARC层的第一圆周形区域具有第一蚀刻率,而在该第二BARC层的第一中央区域具有第二蚀刻率,该第一圆周形区域环绕于该第一介层洞侧壁,第一中央区域环绕于该第一介层洞的中心,该第一蚀刻率大于该第二蚀刻率,该第一圆周形区域低于该第一中央区域,该第二BARC层的第一上表面明显具有第一凸形;对该第二介电层进行第三蚀刻,形成一个沟槽和第三BARC层,该沟槽具有一个槽底面,该槽底面上明显没有任何环绕于该第三BARC层侧壁的尖刺,该第三BARC层的第二上表面明显具有第二凸形;去除该第三BARC层,形成第二介层洞。
地址 201203上海市浦东新区张江路18号