发明名称 晶片制造方法
摘要 一种晶片制造方法,至少包括设计阶段、模拟阶段、晶圆厂阶段、测试/封装阶段、切割阶段和最终外层阶段。本发明提供一种晶片的测试方法,包括附着一基底层于具有多个晶片的晶圆;暴露出晶圆上晶片的多个焊接垫;形成凸块于晶圆上晶片的焊接垫;藉由晶圆上晶片的凸块进行测试。本发明的另一目的是提供一种晶片的测试方法,包括附着一基底层于具有多个晶片的晶圆;连接晶圆上晶片的焊接垫于相对应基底层的焊接垫;设置凸块于基底层反面的焊接垫;藉由基底层上的凸块进行测试。本发明可使设计周期缩短,成本降低。
申请公布号 CN101183651A 申请公布日期 2008.05.21
申请号 CN200610170496.2 申请日期 2006.12.29
申请人 渠成科技股份有限公司 发明人 蔡文浚;黄宝泰;张佑臣;黄凌豪
分类号 H01L21/50(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/50(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁;张华辉
主权项 1.一种晶片测试以及封装方法,其特征在于至少包括以下步骤:附着一基底层于具有多数个晶片的一晶圆上,其中该基底层保护该晶圆;暴露该晶圆上的晶片的多数个焊接垫;形成多数个凸块于该晶圆的晶片上,其中凸块提供输入/输出管道于该晶圆上的晶片;测试该晶圆上至少一晶片,是藉由以至少一插座接触晶片上的凸块;将该晶圆切割成为个别的晶片;以及将这些晶片上封入一最终外层内。
地址 中国台湾台北县汐止市新台五路一段79号13楼之5
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