发明名称 |
一种金属线栅宽带偏振器及其制备方法 |
摘要 |
一种金属线栅偏振器及其制备方法,属于光学器件,目的在于具有高偏振光消光比和光通量,结构简单,工作波长范围宽。本发明的偏振器,在基板上沉积金属铝纳米线栅,基板为在紫外到红外波段均透明的光学材料;金属铝纳米线栅结构参数为:线栅周期长度40-80纳米,线栅占空比60%-40%,线栅厚度40-80纳米,层间距10-20纳米。本发明方法步骤为:清洗基板、基板表面沉积保护膜、旋涂光刻胶、在光刻胶表面形成纳米线栅结构、在保护膜上刻出纳米线栅结构、在基板上刻出纳米线栅结构、除去剩余保护膜、在基板垂直表面镀铝金属膜,形成平行条状纳米线栅。本发明宽带偏振器在300-5000nm波段范围的偏振消光比可达到33-70dB,偏振光透过率可达到68%-94%。 |
申请公布号 |
CN101183158A |
申请公布日期 |
2008.05.21 |
申请号 |
CN200710168491.0 |
申请日期 |
2007.11.26 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
杨振宇;陆培祥;戴能利;杨光;李玉华;龙华 |
分类号 |
G02B5/30(2006.01);C23C28/00(2006.01);C23C16/00(2006.01);C23C14/35(2006.01) |
主分类号 |
G02B5/30(2006.01) |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 |
代理人 |
方放 |
主权项 |
1.一种金属线栅宽带偏振器,在基板上沉积出平行条状金属铝纳米线栅,其特征在于:所述基板为在紫外到红外波段均透明的光学材料;所述金属铝纳米线栅的结构参数为:线栅周期长度40-80纳米,线栅占空比60%-40%,线栅厚度40-80纳米,层间距10-20纳米。 |
地址 |
430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |