发明名称 一种金属线栅宽带偏振器及其制备方法
摘要 一种金属线栅偏振器及其制备方法,属于光学器件,目的在于具有高偏振光消光比和光通量,结构简单,工作波长范围宽。本发明的偏振器,在基板上沉积金属铝纳米线栅,基板为在紫外到红外波段均透明的光学材料;金属铝纳米线栅结构参数为:线栅周期长度40-80纳米,线栅占空比60%-40%,线栅厚度40-80纳米,层间距10-20纳米。本发明方法步骤为:清洗基板、基板表面沉积保护膜、旋涂光刻胶、在光刻胶表面形成纳米线栅结构、在保护膜上刻出纳米线栅结构、在基板上刻出纳米线栅结构、除去剩余保护膜、在基板垂直表面镀铝金属膜,形成平行条状纳米线栅。本发明宽带偏振器在300-5000nm波段范围的偏振消光比可达到33-70dB,偏振光透过率可达到68%-94%。
申请公布号 CN101183158A 申请公布日期 2008.05.21
申请号 CN200710168491.0 申请日期 2007.11.26
申请人 华中科技大学 发明人 杨振宇;陆培祥;戴能利;杨光;李玉华;龙华
分类号 G02B5/30(2006.01);C23C28/00(2006.01);C23C16/00(2006.01);C23C14/35(2006.01) 主分类号 G02B5/30(2006.01)
代理机构 华中科技大学专利中心 代理人 方放
主权项 1.一种金属线栅宽带偏振器,在基板上沉积出平行条状金属铝纳米线栅,其特征在于:所述基板为在紫外到红外波段均透明的光学材料;所述金属铝纳米线栅的结构参数为:线栅周期长度40-80纳米,线栅占空比60%-40%,线栅厚度40-80纳米,层间距10-20纳米。
地址 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号