| 发明名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构，包括紧邻并连接半导体结构内的拓扑特征的侧壁的多层间隔件。所述多层间隔件包括被层压到第二间隔件亚层上的含有沉积的硅氧化物材料的第一间隔件亚层，第二间隔件亚层包含与所述沉积的硅氧化物材料不同的材料。所述第一间隔件亚层相对于所述第二间隔件亚层被凹进不大于所述第一间隔件亚层的厚度的凹槽距离(优选从大约50埃到大约150埃)。通过使用化学氧化物去除(COR)蚀刻剂实现上述凹槽距离，化学氧化物去除(COR)蚀刻剂相对于热生长的硅氧化物材料而言对沉积的硅氧化物材料来说是自限制的。因此，对于多层间隔件层来说，保证了尺寸完整性并避免了剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN101183684A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200710169212.2 | 申请日期 | 2007.11.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 马克·W.·坎特尔;詹姆士·W.·阿迪克森;戴尔·W.·马丁;詹姆士·V.·哈特三世;詹姆士·R.·爱略特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：位于基片上的拓扑特征；连接所述拓扑特征的侧壁的多层间隔件，所述多层间隔件包括被层压到第二间隔件亚层上的含有沉积的硅氧化物材料的第一间隔件亚层，所述第二间隔件亚层包含与所述沉积的硅氧化物材料不同的材料，其中所述第一间隔件亚层相对于所述第二间隔件亚层被凹进。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||