高温化学气相沉积设备

摘要

提供了用于在至少700℃的温度和100托下操作的反应室内沉积一层或多层到衬底或独立式形状上的设备和方法的实施方案。该设备配备有工件，用于在反应室中限定使反应物进料预反应形成至少气态形式的反应前体的体积空间，并与用于由反应的前体在衬底上沉积均匀厚度的涂层的沉积区分开。在一个实施方案中，限定该两个不同区的工件包含分布介质。在另一个实施方案中，该工件包含多个反应物进料喷头或注射器。在另一个实施方案中，该设备配备进料系统，进料系统具有在空间上隔开的适合多种气相物质分布的注射工件，形成沿衬底表面厚度和化学组成基本均匀的沉积物。在一个实施方案中，该设备进一步包含牺牲性衬底，牺牲性衬底进一步帮助在衬底上获得厚度和化学均匀性。

主权项

1.一种化学气相沉积(CVD)系统，包含：维持在小于100托的压力的反应室，其内至少布置待涂布的衬底；反应物供应系统，其至少具有连接至其上的入口单元，用于将多种反应物进料提供给反应室；至少一个排气出口单元，其与反应室保持流体连通；用于在反应室中限定用于使至少一种反应物进料预反应形成至少一种气态形式反应前体的体积空间、和用于在衬底上沉积涂层的体积空间的工件；和加热工件，其用于将衬底维持在至少700℃的温度。