| 发明名称 | 沟槽的制造方法及其应用于制造图像传感器方法 | ||
| 摘要 | 一种在叠层介质层中形成沟槽的方法，包括：在一半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中填充第一牺牲层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口上方，且所述第二开口的深度和所述第二介质层的厚度相同；在所述第二开口中填充第二牺牲层；去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。本发明方法能够形成较好的沟槽轮廓。 | ||
| 申请公布号 | CN101183658A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200610118301.X | 申请日期 | 2006.11.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 卢普生;杨建平 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种在叠层介质层中形成沟槽的方法，包括：在一半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中填充第一牺牲层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口上方，且所述第二开口的深度和所述第二介质层的厚度相同；在所述第二开口中填充第二牺牲层；去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||