Halbleiteranordnungen und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Halbleiteranordnungen und Verfahren zur Herstellung derselben werden offenbart. Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel umfasst ein Verfahren zum Ausbildung einer Materialschicht. Das Verfahren beinhaltet ein Ausbilden zumindest einer ersten Schicht eines ersten Materials und ein Ausbilden zumindest einer zweiten Schicht eines zweiten Materials über der zumindest einen ersten Schicht vom ersten Material. Das erste Material umfasst ein Oxid oder ein Silikat von Hf, Zr oder La. Das zweite Material umfasst ein Siliziumoxinitrid von Hf, Zr oder La.