发明名称 单馈低轮廓背腔双频双线性极化天线
摘要 本发明涉及一种单馈低轮廓背腔双频双线性极化天线。普通双频天线单个辐射单元的性能较低,已有双频背腔天线体积大、结构复杂,制造成本高。本发明在介质基片的两面镀有金属层,上金属层蚀刻有用于馈电的微带线和共地共面波导传输线,共面波导传输线的中间金属条带向外延伸,作为微带线。贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有排列为长方形的多个金属化通孔,形成腔体,共面波导传输线伸入腔体内。下金属层在对应腔体的区域内蚀刻有两条相互垂直的长条形辐射缝隙。本发明采用普通的PCB工艺制作,制作成本低,可与微带电路无缝集成,提高了系统的集成度。与已有背腔双频天线需要精密的机械加工相比,制造速度快,成本低廉。
申请公布号 CN101183743A 申请公布日期 2008.05.21
申请号 CN200710156822.9 申请日期 2007.11.12
申请人 杭州电子科技大学 发明人 罗国清;孙玲玲
分类号 H01Q1/38(2006.01);H01Q13/10(2006.01);H01Q13/06(2006.01) 主分类号 H01Q1/38(2006.01)
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 张法高
主权项 1.单馈低轮廓背腔双频双线性极化天线,包括介质基片,其特征在于:介质基片的两面镀有金属层,分别是上金属层和下金属层,其中下金属层作为地层;上金属层蚀刻有用于馈电的微带线和共面波导传输线,共面波导传输线是共地共面波导结构,其中间金属条带向外延伸,作为微带线;贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有通孔,通孔内壁镀有金属,形成金属化通孔;多个金属化通孔顺序排列为长方形,形成长方形的基片集成波导腔体,基片集成波导腔体各边上的金属化通孔的孔间距相同;共面波导传输线由基片集成波导腔体的一角伸入基片集成波导腔体内,其金属条带的中心线与基片集成波导腔体的对角线重合;下金属层对应基片集成波导腔体的区域内蚀刻有两条宽度相同且垂直相交的长条形辐射缝隙,其中较长的辐射缝隙与基片集成波导腔体的短边平行,较短的辐射缝隙与基片集成波导腔体的长边平行;两条辐射缝隙的交叉点与基片集成波导腔体的中心重合,且均以交叉点作为中心点。
地址 310018浙江省杭州市江干区下沙高教园区2号大街