制备CMOS图像传感器－混合硅化物的方法

摘要

本发明提供了一种制备CMOS图像传感器的技术。提供了一个半导体衬底，并且在衬底的外围区和衬底的感光区之间形成至少一个隔离区。形成了衬底的外围区中的第一阱和感光区中的第二阱。还形成了与光电二极管相关的第三阱。栅极氧化物层、多晶硅层和第一金属层分别被沉积。多晶硅层和第一金属层被刻蚀以在感光区中形成至少一个栅极并在外围区中形成至少一个栅极。形成第一阱中的至少两个掺杂区，并形成第二阱中的两个掺杂区。在衬底的感光区上沉积阻挡层，所述阻挡层用于阻挡硅化物形成。在沉积了阻挡层之后，至少在外围区上沉积第二金属层。衬底被暴露给热环境以形成硅化物。通过刻蚀去除第二金属层。

主权项

1.一种用于制备互补金属氧化物半导体图像传感器的方法，所述方法包括：提供一个半导体衬底；在所述衬底的外围区和所述衬底的感光区之间形成至少一个隔离区；在所述衬底的所述外围区中形成一个第一阱，并在所述衬底的所述感光区中形成一个第二阱；在所述衬底的所述感光区中形成与一个光电二极管相关的一个第三阱；在所述衬底的表面上沉积一个栅极氧化物层；在所述氧化物层上沉积一个多晶硅层；在所述多晶硅层上沉积一个第一金属层；刻蚀所述多晶硅层和所述第一金属层，以在所述感光区中形成至少一个栅极并在所述外围区中形成至少一个栅极；形成用于所述感光区中的所述至少一个栅极和所述外围区中的所述至少一个栅极中的每个栅极的隔离物；注入第一多个离子以在所述第一阱中形成至少两个掺杂区；注入第二多个离子以在所述第二阱中形成两个掺杂区；在所述衬底的所述感光区上沉积一个阻挡层，所述阻挡层用于阻挡硅化物的形成；在沉积了所述阻挡层之后，至少在所述外围区上沉积一个第二金属层；将所述衬底暴露到热环境，以在所述第一阱中的至少两个掺杂区和所述感光区中的至少一个栅极上同时形成硅化物；以及在暴露到所述热环境之后进行刻蚀以去除所述第二金属层。