| 发明名称 | 高压PMOS晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压PMOS晶体管及其制造方法，可解决高压PMOS晶体管的击穿电压和饱和电流之间无法同时取得较高性能的矛盾。所述制造方法包括：进行高压N阱和P型埋沟离子注入；进行轻掺杂的P型扩散区离子注入；进行栅氧化层的淀积；进行N型掺杂的多晶硅栅淀积；进行多晶硅栅和栅氧化层刻蚀；进行自对准的轻掺杂源离子注入；进行侧墙的淀积与刻蚀；使用光刻胶遮盖N型多晶硅栅和P型扩散区，进行源漏离子注入形成P型多晶硅栅和源漏极；去除光刻胶。所述高压PMOS晶体管包括：多晶硅栅，由各占一定长度比例的N型多晶硅栅和P型多晶硅栅组成。 | ||
| 申请公布号 | CN101183648A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200610118295.8 | 申请日期 | 2006.11.13 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种高压PMOS晶体管的制造方法，包括：(1)进行高压N阱和P型埋沟离子注入；(2)进行轻掺杂的P型扩散区离子注入；(3)进行栅氧化层的淀积；(4)进行N型掺杂的多晶硅栅淀积；(5)进行多晶硅栅和栅氧化层刻蚀；(6)进行自对准的轻掺杂源离子注入；(7)进行侧墙的淀积与刻蚀；其特征在于，还包括：(8)使用光刻胶遮盖N型多晶硅栅和P型扩散区，进行源漏离子注入形成P型多晶硅栅和源漏极；(9)去除光刻胶。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||