| 发明名称 | 贴合晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种贴合晶片的制造方法，是在基体晶片和接合晶片的至少一方的表面形成氧化膜，并透过该氧化膜使基体晶片和接合晶片密接，并在氧化性环境下对其施加热处理而使其结合后，磨削除去上述接合晶片的外周部至规定厚度为止，随后通过蚀刻来除去该接合晶片外周部的未结合部，如此进行后，将上述接合晶片薄膜化至需要厚度为止的贴合晶片的制造方法，其特征是：上述蚀刻是使用30℃以下的至少含有氢氟酸、硝酸和乙酸的混酸来进行。由此，可以提供一种贴合晶片的制造方法，能够以对Si的蚀刻速度与对SiO<sub>2</sub>的蚀刻速度的选择比<img file="200680018233.8_AB_0.GIF" wi="89" he="28" />大、且不会产生金属污染的方式，来蚀刻接合晶片的外周部的未结合部。 | ||
| 申请公布号 | CN101185154A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200680018233.8 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 冈部启一;宫崎进 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫 |
| 主权项 | 1.一种贴合晶片的制造方法，其在基体晶片和接合晶片的至少一方的表面形成氧化膜，并通过该氧化膜使基体晶片和接合晶片密接，并在氧化性环境下对其施加热处理而使其结合后，磨削除去上述接合晶片的外周部至规定厚度，然后通过蚀刻来除去该接合晶片外周部的未结合部，将上述接合晶片薄膜化至需要厚度，其特征是：上述蚀刻是使用30℃以下的至少含有氢氟酸、硝酸、及乙酸的混酸来进行。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||