| 发明名称 | 具有沟槽晶体管的半导体器件以及制造这种器件的方法 | ||
| 摘要 | 根据一个实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体材料的第一侧中形成沟槽以及在该沟槽上和第一侧上形成厚氧化物层。使用第一掩模对第一侧的一部分和沟槽进行掩蔽，并且当第一掩模存在时，通过穿过厚氧化物层的注入而掺杂半导体材料。当第一掩模保留时，去除厚氧化物层的至少一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101183650A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200710166234.3 | 申请日期 | 2007.11.06 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | 马库斯·曾德尔;弗朗茨·赫尔莱尔;鲁道夫·泽尔萨克;埃尔温·巴赫尔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体材料的第一侧中形成沟槽；在所述沟槽上和所述第一侧上形成厚氧化物层；使用第一掩模对所述第一侧的一部分和所述沟槽进行掩蔽；当所述第一掩模存在时，通过穿过所述厚氧化物层的注入而掺杂所述半导体材料；以及当所述第一掩模保留时，去除所述厚氧化物层的至少一部分。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||