| 发明名称 | 半导体封装及其形成方法 | ||
| 摘要 | 提供在管芯粘接工艺期间防止来自背面金属层(118)的金渗入到焊料(164)中的半导体封装(100)及其制造方法。根据本发明的方法包括提供包括有多个金属焊盘(112)的半导体晶片叠层(110)。在基板(116)的表面(119)上形成粘附/镀层(115)。在粘附/镀层(115)的表面上镀上金层(118)。在划片道区域(124)中使用标准光刻技术蚀刻金层(118)以暴露金层(118)及粘附/镀层(115)的边缘部分(128)。沉积阻挡金属层(130)以在金层(118)及粘附/镀层(115)的暴露的边缘(128)的周围形成边缘密封(129)。在划片道区域(124)中切割半导体晶片叠层(110)并将其焊接到引线框架(162)以形成其提供边缘密封(128)以防止来自背面金属层(118)的金渗入到焊料(162)中的半导体封装(100)。 | ||
| 申请公布号 | CN101185153A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200680018216.4 | 申请日期 | 2006.03.24 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 瓦西里·罗梅加·汤普森;贾森·芬德;特里·K·戴利;张镇旭 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：提供半导体晶片叠层，其包括在基板的第一表面中形成的多个金属焊盘、在所述基板的相对的第二表面上形成的粘附/镀层以及在所述粘附/镀层的表面上上形成的金层；在所述半导体晶片叠层的划片道区域中蚀刻所述金层，其中蚀刻暴露出所述金层、所述粘附/镀层以及所述基板的多个边缘部分；在所述粘附/镀层及所述金层的所述暴露的边缘部分的周围形成边缘密封；在所述划片道区域中切割所述半导体叠层以限定半导体管芯；以及将所述管芯粘接至支撑结构。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||