发明名称 |
存储器件及其制造方法 |
摘要 |
提供一种能在低电压下写入和读出数据的存储器件及其制造方法。该存储器件,包括:在一个方向上形成的位线;在位线上面交叉设置的多个字线,字线平行形成并在其间形成空余空间;翻转电极,被电连接到该位线,形成在位线上面的一个字线上方,以便穿过该空余空间,并被配置为通过多个字线之间引起的电场,相对于多个字线在一个方向上弯曲;以及接触部件,从翻转电极的下端突出,响应于通过字线施加的电荷,集中由翻转电极感应的电荷,以有选择地使该字线与翻转电极接触。 |
申请公布号 |
CN101183672A |
申请公布日期 |
2008.05.21 |
申请号 |
CN200710167827.1 |
申请日期 |
2007.10.26 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
朴珍俊 |
分类号 |
H01L23/528(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/528(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
黄启行;穆德骏 |
主权项 |
1.一种存储器件,包括:在一个方向上形成的位线;多个字线,被设置在所述位线上方,与所述位线绝缘并交叉,所述字线互相并行形成,在字线间形成具有预定间隔的空余空间;翻转电极,电连接到与所述字线交叉的所述位线,形成在所述位线上面的所述字线之一的上方,以便穿过所述空余空间,并且该翻转电极被配置为通过所述多个字线之间感应的电场,在相对于所述多个字线的一个方向上弯曲;以及接触部件,配置为响应于由所述翻转电极和所述位线之间的所述字线施加的电荷,集中由所述翻转电极感应的电荷,所述接触部件从所述翻转电极的下端突出,以在所述字线的方向上具有预定厚度,从而减小所述翻转电极必须弯曲的长度,以使所述字线和所述翻转电极有选择地接触。 |
地址 |
韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 |