| 发明名称 | 具有一对鳍的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据示例性实施例的半导体器件可以具有减小的读取操作期间的干扰，并且可以具有减小的短沟道效应。该半导体器件可以包括半导体基底，该半导体基底具有体和从所述体突出的一对鳍。在所述一对鳍的内侧壁的上部上可以形成内部间隔绝缘层，从而减小进入所述一对鳍之间的区域的入口。栅电极可以覆盖所述一对鳍的外侧壁的一部分，并且可以延伸越过内部间隔绝缘层，从而在所述一对鳍之间限定空隙。可以在栅电极和所述一对鳍之间设置栅极绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN101183678A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200710166997.8 | 申请日期 | 2007.11.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金锡必;朴允童;李钟振;金元柱;具俊谟;宋承桓 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体基底，具有体和从所述体突出的一对鳍；内部间隔绝缘层，在所述一对鳍的内侧壁的上部上；栅电极，在半导体基底上，限定所述一对鳍之间的空隙；栅极绝缘层，在栅电极和所述一对鳍之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||